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平行板RIE反應器 RF產生器 晶圓 電源電極(陰極) 接地電極(陽極) 氫正離子(物理蝕刻成分) 氟(化學蝕刻成分) 圖 16.19 高密度電漿蝕刻機 (Photo courtesy of Applied Materials, Inc.) 照片 16.1 電子迴旋反應器之示意圖 微波電源2.45 MHz 導波管 擴散器 石英視窗 靜電吸盤 迴旋加速磁鐵 電漿反應室 晶圓 額外磁鐵 13.56 MHz 真空系統 Redrawn from Y. Lii, “Etching,” ULSI Technology, ed. by C. Chang and S. Sze (New York: McGraw-Hill, 1996), p. 349. 圖 16.20 電感耦合式電漿蝕刻 電磁鐵 介電視窗 電感線圈 受偏壓之晶圓吸盤 RF產生器 偏壓RF產生器 電漿反應室 Redrawn from Y. Lii, “Etching,” ULSI Technology, ed. by C. Chang and S. Sze (New York: McGraw-Hill, 1996), p. 351. 圖 16.21 雙電漿源 (DPS) 去耦合式電漿反應室 渦輪幫浦 低反應室 陰極 晶圓 電容耦合式RF產生器(偏壓電源) 電感耦合之RF產生器(源電源) Redrawn from Y. Ye etal., Proceedings of Plasma Processing XI, Vol. 96-12, ed. G. Mathod and M. Meyyoppan (Pennington, NJ: The Electromechanical Society, 1996): p. 222. 圖 16.22 磁場加強式反應性離子蝕刻 (HERIE) 電磁鐵 (四片中之一片) 13.56 MHz 受偏壓之晶圓吸盤 晶圓 Redrawn from Wet/Dry Etch (College Station, TX: Texas Engineering Extension Service, 1996), p. 165. 圖 16.23 乾式蝕刻機台的架構 表 16.5 用於電漿蝕刻之終點偵測 圖 16.24 終點偵測 正常蝕刻 偵測到的蝕刻速率改變係發生於此 終點信號 中止蝕刻 時間 蝕刻參數 電漿蝕刻中，激化物種的特徵波長 表 16.6 綜點偵測 Photograph courtesy of Advanced Micro Devices, Lam Rainbow etcher 乾蝕刻的應用 介電質的乾蝕刻 氧化物 氮化矽 矽的乾蝕刻 多晶矽閘的蝕刻 單晶矽蝕刻 金屬的乾蝕刻 鋁及金屬積層 鎢回蝕 接觸金屬的蝕刻 成功的乾蝕刻所需具備的要件 高選擇性以避免不欲蝕刻的材料 (主要為光阻及底層) 被蝕去。 高蝕刻速率以完成可接受的晶圓產能。 良好的側壁輪廓控制。 跨於晶圓上的良好蝕刻均一性。 低的元件損壞率。 製造所需之寬廣製程容忍度。 乾蝕刻之關鍵性參數 設備參數： 設備設計 電漿電源功率 電漿電源頻率 壓力 溫度 氣體流量率 真空條件 製程訣竅 其他能提供的因素： 無塵室規定 操作程序 維護保養程序 預防保養時程 製程參數： 電漿與表面的交互作用 -表面材料 -不同膜層的材料基層 -表面溫度 -表面電荷 -表面形拓 化學及物理要求 時間 品質參數： 蝕刻速率 選擇性 均一性 特徵面貌的輪 CD 殘留物 電漿蝕刻 一晶圓 圖 16.25 氧化物蝕刻反應器 CF4 C3F8 C4F8 CHF3 NF3 SiF4 Ar 晶圓 靜電吸盤 電漿 碳氫或碳氟化學品之選擇 HF CF2 F CHF CH4 圖 16.26 用於蝕刻停止之硬式罩幕層 圖 16.27 實例：氮化矽 (SiN3) 在LI氧化物蝕刻期間係作為一蝕刻停止層。 註：數字用以表示5個操作程序之順序。 摻雜氧化物CVD 氮化矽CVD 氧化物CMP 氧化物蝕刻 氮化物蝕刻 LI氧化層 n井 p井 p? 磊晶層 p? 矽基板 * * * * 半導體製造技術第 16 章蝕刻 課程大綱 列出並討論9項重要的蝕刻參數。 解釋何謂乾蝕刻，包括它的優點並討論如何產生蝕刻作用。 列出並描述7種乾式電漿蝕刻反應器的設備系統。 解釋高密度電漿 (HDP) 蝕刻的優點並討論4種不同形式的HDP反應器。 分別舉出介電質、矽及金屬乾蝕刻的應用例子。 討論濕蝕刻及其應用。 解釋光阻是如何被移除的。 討論蝕