半导体制造学-微影氣相塗底至軟烤.pptVIP

光阻的改善 1. 較佳的影像精確度 (解析度)。 2. 在晶圓表面有較佳的附著性。 有較佳的均勻性。 增加製程容許度(對製程變化不敏感)。 光阻 光阻形式 負和正光阻 光阻物理性質 傳統的I-Line光阻 負I-Line光阻 正I-Line光阻 深UV(DUV)光阻 光阻塗灑方法 旋轉塗佈 光阻形式 兩種光阻形式 正光阻 負光阻 CD值 傳統光阻 深UV光阻 製程應用 非關鍵層 關鍵層 負和正光阻 負光阻 晶圓影像和原來光罩圖案相反 負光阻曝光而硬化變得不可溶解 正光阻 晶圓影像和原來光罩圖案相同 正光阻曝光時變柔軟且易溶解 解析度 亮場光罩及暗場光罩 光阻物理性質 解析度 對比 靈敏度 黏性 附著性 抗蝕刻性 表面張力 儲存及操作 污染物及微粒 光阻對比 光阻對比差 斜的邊 膨脹 對比差 光阻 薄膜 光阻對比佳 陡的邊 未膨脹 對比佳 光阻 薄膜 圖 13.16 表面張力 受低分子力之低表面張力 受高分子力之高表面張力 圖 13.17 * * 半導體製造技術第 13 章微影:氣相塗底至軟烤 課程大綱 解釋微影之基本觀念，包括製程、CD、光頻譜、解析度及曝光度。 討論正及負雕像術之差異。 說出並描述微影8個基本步驟。 解釋微影前晶圓如何做準備。 描述光阻及討論光阻的物理性質。 討論傳統i-line光阻的化學性及應用。 描述深紫外光 (DUV) 光阻的化學性及優點。 解釋光阻如何用於晶圓製造。 討論軟烤的目的及解釋其方法。 晶圓製作流程 植入 擴散 測試/分類 蝕刻 研磨 黃光 完成的晶圓 未圖案化晶圓 啟始晶圓 薄膜 晶圓製作 (前段) (Used with permission from Advanced Micro Devices) 圖 13.1 微影觀念 光罩 標線板 臨界尺寸世代 光譜 解析度 重疊精確 製程容許度 微影簡介 微影的標線板和光罩 Photograph provided courtesy of Advanced Micro Devices 4:1 標線板 1:1 光罩 照片 13.1 光阻之三維圖案 線寬 間隙 厚度 基板 光阻 圖 13.2 部分電磁頻譜 可見光 射頻波 微波 紅外光 ? 射線 UV X射線 f (Hz) 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 4 6 8 10 12 14 16 22 18 20 ? (m) 4 2 0 -2 -4 -6 -8 -14 -10 -12 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 365 436 405 248 193 157 g h i DUV DUV VUV l (nm) 在光學雕像中常用的UV波長 圖 13.3 微影曝光用重要的UV波長 表 13.1 光罩重疊精確的重要性 PMOSFET NMOSFET CMOS反相器之橫截面 CMOS反相器之上視圖 光罩層決定後續製程的精確性。 光罩圖案使各層有適當的位置、方向及結構大小，以利於蝕刻及離子植入。 小尺度及低扭曲沒有太大的誤差空間 圖 13.4 微影製程 負雕像 在晶圓表面呈現的圖案和光罩相反 光阻曝光後變成不溶解且鍵結硬化 發展出負光阻 正雕像 在晶圓表面的圖案和光罩上的相同 在顯影液中變得可溶解且是柔軟的 發展出正光阻 負雕像 紫外光 島狀 曝光區域變成交互鏈結，可抗顯影液之化學物質。 光阻顯影後的圖案 窗口 光阻曝 光區域 光阻上之 影子 玻璃罩幕上的鉻圖案 矽基板 光阻 光阻氧化層 光阻 氧化層 矽基板 圖 13.5 正雕像 圖 13.6 photoresist silicon substrate oxide oxide silicon substrate photoresist 紫外光 島狀 曝光的區域溶解去除 光阻顯影後呈現的圖案 光阻上陰影 光阻曝 光區域 玻璃光罩上之鉻島 窗口 矽基板 光阻 氧化物 光阻 氧化物 矽基板 光罩與光阻之關係 印製在晶圓上所需求的光阻結構圖案 窗口 基板 光阻島狀 石英 鉻 島狀 負光阻用所需的光罩圖案 (與所要的圖案相反) 正光阻用所需的光罩圖案 (與所要的圖案相同) 圖 13.7 亮場與暗場光罩 接觸窗之形式 (正光阻雕像) 金屬內連線形式 (正光阻雕像) 亮場光罩 暗場光罩 圖 13.8 微影之8個步驟 表 13.2 微影之8個步驟 8)顯影後檢視 5)曝光後烘烤 6)顯影 7)硬烤 UV光 光罩 ? ? 4)對準