半导体光学12应变层超晶格.pptVIP

●自组织量子点或在适当条件下厚度起伏情况下产生量子点，如 在强晶格失配系统（晶格失配高于5%）中, 除了位错，在浸润层上还生长着小丘. 这些小丘或棱锥（体） 里，生长层向着本身晶格产生驰豫,可以用扫描显微镜观察到. 这类自组织量子点或量子岛中最佳系统是 多种情况下，生长过程中势阱和势垒材料之间通常存在大范围混合，所形成量子岛成分和厚度的起伏要比界面清晰的 棱锥（体）更显著 ，因此不能再直接通过扫描显微镜进行观察. 另外在许多情况下，这些棱锥体甚至不具有所期望的化学成分.ZnSe上形成棱锥体，例如在空气中，甚至CdSe不存在条 件下，以及CdSe/CdS系统中，扫描显微图也显示出量子岛，它们很可能是Se沉淀 。然而，最近的研究表明，量子岛的中心至少存在几乎纯净的InAs和CdSe。 在量子阱中某局域位置，经厚度或成分起伏产生的究竟是量子岛还是量子点，目前还没有一个明确的标准. ▲三维正交势阱的交点处，载流子势能达到最小值，在三维空间都受到限制。 ▲应变源：它们是一些生长在量子阱上一薄分界面上面晶格失配的材料. 应变源对量子阱材料施加的应力必然减小应变源下面势阱材料能隙的宽度，并且产生限制性的侧面势. 产生量子点小结： 现在的研究目标是将量子点在三维格子中排列，产生人工体材料。 历史的重复： 上世纪初，开始研究具有分立能级的原子系统→分子→原子集合至三维结晶固体→能带结构和Ewald–Bloch理论. 然后，又通过限制势（不同于原子库伦势）减小维度直至人工原子，又产生分 立能级. 现在的研究又要组合这些人工原子，形成三维固体.可以预言：只要人工原子在尺寸和形状上足够均匀，彼此电耦合足够强，就不会产生新的能带形式. 10.9缺陷 缺陷态 掺杂 真实晶体中普遍存在缺陷，前面已提到缺陷产生声子局域模.电子态同样与缺陷有关, 集中在缺陷上：一维位错, 二维堆 垛层错 ，晶粒间界，表面,界面或三维沉积和空隙. 即使很好的材料中,缺陷的密度也达到 仅仅是文献中结果，通常仅针对于“电激发”产生的缺陷,这意味电离了的施主和受主的浓度之差, 这里忽略了不是由电激活缺陷,但是它们仍然可以作为散射或复合中心. 在高质量材料中,位错的浓 度范围为 缺陷的电性质 1.轻度掺杂 ①施主杂质 ●施主原子的能级低于本征半导体的导带底，施主原子经热电离，填充在导带中, 成为带正电中心,可束缚电子. 电子可以在晶体中运动. ●施主通常由被取代原子所在族的右边取代原子形成，如N或P取代Ge或Si, Si取代GaAs中Ga，Cl取代ZnSe中Se，Ga或In取代Zn等等.另外，施主也可用对电子弱束缚的填隙原子，如II-VI化合物中H,Li或Na. ● n型半导体：主要靠电子带电. ●施主电离能 Ⅳ族在Ge 和Si中 与室温下 可比,因此, 室温下施主杂 质绝大部分是电离的. ②受主杂质 ●受主杂质：能够从价带接受电子，自身成为负离子的杂质. h填充在价带中,可以在晶体中运动. 成为带负电中心,可束缚空穴. ●受主通常由被取代原子所在族的左边取代原子形成，如Ga或B 取代Ge或Si, 由如Li或Na II-VI化合物中阳离子， N取代阴离子， GaAs 中Si取代As，而Be取代Ga. ●受主电离能 Ⅲ族原子在Ge 和Si中 ● p型半导体：主要靠空穴带电. 与室温下 可比,因此, 室温下受主杂质 绝大部分是电离的.掺入少量受主杂质可 使空穴浓度大大增加. ③浅能级杂质 ●带电中心形成附加（短程）势场,有可能 ●类氢模型 使载流使子束缚在杂质或缺陷周围,产生局域态,其能级位于能隙中. 严格理论可以证明：只要晶体中附加势场变化足够缓慢,导带中电子在该势场中的运动就可以由有效质量加以描述.电子围绕正电中心的运动与围绕氢原子核的运动完全相似,只是库仑势场的作用大大 Ge Si 削弱, 束缚能为 其中 为氢原子里德堡能量， 为主量子数，ε为介电常数. 对于轨道半径 范围从1至20nm,取决于材料参数. 归结为有效质量的利用.另外, 形成施主或受主原子的化学性质也会产生影响，这称为中心晶胞修正，或化学移动. 随着浅施主或受主的轨道半径减小， ●类似于声子局域模,浅施主或受主的波函数可以描述为布洛赫波函数的叠加， 取值范围增大. ●热平衡条件下，施主或受主的占有率由费米统计决定， 其中 描述能级的简并度，例如电离施 主基态对应电子自旋相反两个状态. ④施主或受主对:一对施主或受主在空间非常接近，它们的波函数重叠. 施主或受主对不但存在于体材料中，也存在于量子结构中, 但是情况要复杂些. 例如电子对施主束缚能取决于施主相对势垒材料界面的位置. ⑤与(M)QW有关的两种掺杂方法： δ掺杂是在外延生长过程中掺入二维杂质原子层，生长方向的浓度几乎是