半导体光学14万尼尔激子.pptVIP

的运动就不能分离为质心运动和相对运动（它们之间相互耦合）. 3.若能带简并，若闪锌矿中 价带，激子 4. CdS和ZnO中 激子, 由于短程相互作用随着激子半径增加按照 规律减小,1S态激子半径 仅略微大于 晶格常数,为此万尼尔激子的概念受到限制. 量子阱尤其是量子点中, 激子波函数的压缩导致单态与三重态的分裂增大. 表明带与带之间的偶极跃 迁是宇称禁戒跃迁，1S态单激子或对位产生于电四极矩近似下跃迁. 5. 11.4束缚激子复合物BEC 1. 束缚激子复合物： 由激子束缚于杂质中心或其它缺陷中心形成.可以分成3类： ●激子束缚在中性施主原子 上： 记为 ●激子束缚在电离施主原子 上： 记为 ●激子束缚在中性受主原子 上： 记为 -++-. *●激子束缚在电离受主原子 上： 记为 (不存在.) 2. 产生束缚激子的能量判据 ●如果激子处在杂质中心附近时系统总能量下降, 激子可以束缚在中心或其它缺陷中心.反之, 如果激子处在杂质中心附近时系统总能量上升,那么激子会“选择”处于自由状态而不会束缚在杂质中心. ●在中性施主、受主以及电离施主杂质中心的束缚激子是可能的,而束缚在电离受 主杂质中心的束缚激子是不存在的. 3. BEC束缚能. ●束缚激子能量低于自由激子 束缚能通常比电子（空穴）束 缚于 的束缚能小得多.这两个能量 比值与材料关系很小,约为0.1. ●BEC束缚能与束缚激子复合物的本质 以及环境等因素有关. 4.束缚于浅中心的激子波函数可以由自由激子波函数的线性叠加来描述. 5.束缚激子复合物的其它形式 ●施主-受主对作为多中心束缚激子. ●单个中心束缚多个激子（源于间接半导体中，高简并的多谷导带，以及价带）. ●深中心束缚激子复合物. ●量子阱中束缚激子的束缚能与杂质相对势垒的空间位置有关.若杂质不在势阱中间,接近势垒,束缚激子的能量通常会减小,这是因为激子波函数远离杂质,这种现象会导致吸收谱和发射谱的非均匀加宽,通常与无序产生局域尾态合并,或者与自由激子线合并. 6.束缚激子 离解途径： 后者更容易，即激子从电离施主上分离 出来需要较多的能量,而中性 束缚一 个自由空穴需要较少的能量. 1.d=2 ●量子阱中的激子即非三维激子,又非严格意义上的二维激子,即激子的运动限制在二维平面上,但是电子与空穴库伦作用仍然是三维， 使得势阱层(xy平面)内的运动与垂直于层z方向的运动互相耦合. 由于库仑作用, 11.3维度的影响 ● I型（M）QW中,z方向运动受到限制但是阱宽不为0. Ⅱ型QW中,电子与空穴分别限制于势阱和势垒中,它们的波函数重叠重叠较小,库仑作用减弱,可以产生空间间接激子. VB CB 激子复合寿命长，束缚能小. ● 2d系统与3d系统比较 能量： 单态振子强度： 半径： 其中 为电子或空穴的量子化能量. 因此,对于基态, 11.1万尼尔激子 1.能带 半导体中激子的确在能隙中形成了非常类似于氢原子的一系列状态. 对于非简并 在有效质量近似下,电子与空穴之间的库仑作用类似于氢原子中库仑势： 抛物能带，直接半导体中激子运动可以分解成电子与空穴之间相对运动和质心运动. 激子的色散关系为, (分立谱) 其中 主量子数, 激子里德堡（电离）能, 激子的质量和波矢, 激子质心运动能量, 激子约化质量, 激子玻尔半径, 对应零能级, 真空态: 满价带,空导带, 电子与空穴的相对运动能, CB 量, 即束缚能. 当 这对应于自由电子空穴对的激发, 分立谱过渡为连续谱. 2. 波函数 其中 平面波因子描述激子万尼尔质心运动, 和 分别描述电子与空穴波包, 描述电子与空穴之间相对运动， 为归一化因子. 质心的位置, 表示激子在周期性晶体中传播类似布鲁赫波, 意义与氢原子相同. 在固体中角动量为好量子数情况下,量子数 直接激子:直接半导体能隙在Γ点处, 产生 的直接激子,电子与空穴的群速度都 为0. 间接半导体中空穴优先在 周围,电子 的 电子与空穴群速度 不同,它们之间存在多重库仑作用. 直接激子 间接激子（简化） 3.激发态激子半径 ●若激子包络波函数的径向部分为 该指数项下降为1/e时r定义为激子半径 即随着 线性增加 . ●若考虑到激子包络波函数的全部径向部分 其中l为角动量量子数, 为拉盖尔多项式, 电子与空穴间的 即 利用典型半导体参数，可得 平均距离是 这意味着激子里德堡能量 通常比能隙小 得多,而玻尔半径比晶格常数大得多.因此，电子与空穴围绕质心运动的半径范围是单胞的许多倍,这再一次以自洽的方式证明了有效质量近似的合理性. 4.振子强度 对于三维直接半导体中带与带之间偶极跃迁，单态激子振子强度正比于偶极跃迁 三重态激子振子强度明显