半导体光学24玻色-爱因斯坦凝聚BEC.pptVIP

●T=0,在有效质量近似下, 随着 增加, ，同时 ,但是 的增加大于 减小,使得 增加. ●随着 继续增加, 的增加不大于 减小,所以 减小. ●当 增加到 之后, 随着 增加而增加. 4. 电子-空穴系统EHP化学势μ ●多组分均相系统中,在等温等压并保持系统中其他物质的量都不变的条件下,系统的吉布斯自由能随某一组分的物质的量的变化率. 自由能 熵 内能 压强 其中N为e-h对数目. 5. 激子和自由载流子向EHL相分离 ●在 情况下，随着 增加, μ经历 最大值和最小值变化过程，这对应激子和自由载流子向液态电子-空穴体EHL相分离过程。 态激子和自由载流子包围,其密度不随温度变化). 密度增加，形成EHP液体，即EHL(被气 6.相图 ●在某个临界温度 之下,随着电子-空穴 ●设 为T=0K EHP的基态能量， ● EHP的束缚能 T=0 抛物能带 存在 7.间隙半导体中，如Si,Ge,GaP, 载流子寿命足够长， 可形成电子-空穴液滴EHD.而直隙半导体中,尽管在足够强的泵浦下,EHP可以产生，但是由于载流子寿命很短 分直隙半导体无法产生EHL. 20.3间隙半导体中EHP 大部 1.发光谱 ①间隙半导体中发光过程伴随声子过程。 ②EHL发光频率范围很宽： 高能端是自由激子复合发光。 ③发光谱线型不随泵浦强度而改变。而EHL发光谱与FE发光谱之比与EHL和FE所占体积之比有关。 ④对于确定的临界温度 EHL开始发光时 对应共存区低密度端，而高密度端 可由等离子发光谱线型分析得出。 ⑤辐射强度 ●自发辐射 其中动能为 量守恒，费米子占有率为 表示能 假设跃迁几率与能量无关， 包含跃迁几 率和其它系数。 ●受激辐射 以上 中 但是跃迁几率极 小，故受激辐射不重要。因此Si不能用于制作激光二极管。 ⑥经谱线分析可以得出 等。Si的 Ge ⑦导带的多谷结构降低电子的动能，有利 于稳定等离子体。对单轴施加应力，使得简并的导带移动，这些结果都可以影响动能和化学势。 2.EHD ①每滴包含约 电子-空穴对。 ②EHD可以被杂质束缚。 ③在纯净半导体中，EHD可以在空间扩散。若空间中存在声子数梯度，热流（声子风） 会驱动EHD扩散。 上图中激发处非辐射复合产生声子。声子按照声子散射关系决定的方向传播，于是 推动EHD朝着这些的方向传播。 B图中轮廓线的光强相等。 19.5玻色-爱因斯坦凝聚BEC 1. BEC ①激子与双激子都是玻色子. ②在低温和高密度情况下,大量玻色子处 于一个状态 (粒子数占有率→∞ ), 形成一个宏观粒子. 2. 发光谱 处窄发射带. 3. 产生 ①临界条件（理想玻色子） ●在常温下存在临界密度 ，当 下可能产生BEC. 情况 ●在常密度存在临界温度 当 下可能产生BEC. 情况 g为态简并度. ②困难 随着激子或双激子密度升高, ●相应温度也升高（而不是降低！）（声子辐射和俄歇过程）. ●激子或双激子分解,形成电子-空穴等离子体. ③对激子状态的要求 ●激子极化激元不可取,因为其波矢不可能 ●纵模激子不可取,因为它们会驰豫到更低的三重态激子或横模激子极化激元. ●对应偶极禁戒跃迁的激子最佳.如 激子. 优势：传输距离长（可以达到几mm，比一般激子 至少长2个数量级）. 另外,双激子束缚能很小，不易产生双激子 19.6 光热光学非线性 1.机制 多数半导体中电子-空穴对复合是非辐射 复合,因此晶体被加热,而晶体温度升高又导致吸收谱的改变. BEC. 2.透射谱 CdS 室温 T=300k下,用 cw 激光 514.5nm(绿线) 照明,可使样品 温度增加50k. 特征： ●吸收边变斜,且红移（吸收声子）. ●FP模红移,间隔减小,这是由于折射率增大. ↑处吸收增强. 3.光热光学非线性并不像电子过程那样复杂,通常具有相当长的驰豫时间（ms）. 第20章 电子-空穴等离子体（EHP） 20.1 莫脱密度 1.库仑势屏蔽 在密度为 自由载流子（电子和空穴） 体中激子的势能为 其中相对介电函数 与频率 和 有关, l为屏蔽长度. 若l小于某个值 电子与空穴之间的束 缚能不能产生束缚态激子，即激子电离. 激子玻尔半径与 满足 2. 屏蔽长度和莫脱密度 ①高温（非简并EHP） 电子与空穴用经典波尔兹曼统计描述, 可得屏蔽长度 莫脱密度：激子向EHP跃迁临界密度， 在极限情况下产生非物理结果： ②低温（简并EHP） 屏蔽长度 莫脱密度 ③ZnO:根据以上公式可得理论值 而实验值为 理论值 少4个数量级. Si: 根据以上公式可得理论值 与实验值可以相比. 20.2 能隙重整化 E