半导体制造学 -氧化.pptVIP

爐管設備 水平式爐管 垂直式爐管 快速熱處理器 (RTP)：單一晶片 水平和垂直爐管系統之特性比較 表 10.3 水平擴散爐管 (Photo courtesy of International SEMATECH ) 照片 10.1 垂直擴散爐管 (Photo courtesy of International SEMATECH ) 照片 10.2 垂直式爐管系統之方塊圖 加熱器1 加熱器2 加熱器3 壓力控制器 氣體流量控制器 晶圓操作控制器 晶舟裝載器 排出控制器 溫度控制器 微控制器 晶圓裝／卸載系統 晶舟馬達驅動系統 石英晶舟 石英製程反應室 三區域加熱器 氣體盤 製程氣體筒 抽出 圖 10.16 垂直爐管 加熱保護罩 石英管 三區段加熱線圈 終端 圖 10.17 加熱線圈功率分配 加熱線圈變壓器 204 - 480 VAC 3f SCRs SCRs SCRs 觸發電路 Zone 1 Zone 2 Zone 3 爐管加熱線圈 (Used with permission from International SEMATECH) 圖 10.18 爐管反應室內熱電偶之位置 加熱器1 加熱器2 加熱器3 熱電偶測量 溫度控制器 輪廓TC 系統控制器 TC 圖 10.19 控制TC 過高溫TC * * * * 半導體製造技術第 10 章氧化 課程大綱 對半導體製造中之氧化薄膜描述其原子結構、不同的應用及優點。 敘述氧化之化學反應及描述在矽晶圓上氧化物如何成長。 解釋選擇性氧化及列舉兩個例子。 辨識3種熱製程設備，描述垂直爐之5個部分，並討論快速升降溫垂直式爐管的屬性。 解釋快速熱處理器及其用途和設計。 描述氧化製程中之品質測量及一般問題解決之要點。 晶圓製造之擴散區域 測試/分類 薄膜 植入 擴散 蝕刻 研磨 黃光 完成後之晶圓 晶圓製造 (前段) 無圖案之晶圓 啟始晶圓 (Used with permission from Advanced Micro Devices) 圖 10.1 氧化層薄膜 氧化物薄膜性質 氧化層薄膜之應用 元件保護與隔離 表面保護 閘極氧化物介電質 摻質阻障層 金屬層間之介電質 SiO2之原子結構 矽 氧 (Used with permission from International SEMATECH) 圖 10.2 場氧化層 圖 10.3 場氧化層將每個主動區域做隔離 p井 p? 磊晶層 p? 矽基板 n井 閘極氧化物介電層 圖 10.4 閘極氧化層 p井 p? 磊晶層 p? 矽基板 多晶矽閘極 n井 摻質阻障氧化層 圖 10.5 磷植入 n井 阻障氧化物 p? 磊晶層 p? 矽基板 表 10.1氧化層應用 :原生氧化層 目的 :此氧化層含有雜質，一般是不佳的。有時用於記憶儲存或薄膜保護。 註解 : 室溫下每小時成長速率約15?，最大厚度約為40?。 p+矽基板 SiO2(氧化層) 表 10.1A Table 10.1氧化層應用 :閘極氧化層 目的 :作為MOS電晶體中閘極與源－汲極間之介電質。 註解 :一般閘極氧化層薄膜厚度在20?至數百?之間。乾式熱氧化法是較佳的成長方式。 閘極氧化層 p+矽基板 源極 汲極 閘極 表 10.1B Table 10.1氧化層應用 :場氧化層 目的 :當作各個電晶體間相互隔離之阻障層。 註解 :一般場氧化層厚度在2,500到15,000?之間。濕式氧化法是較佳的成長方法。 場氧化層 電晶體位置 p+矽基板 表 10.1C Table 10.1氧化層應用 :阻障氧化層 目的 : 於後續製程中保護主動元件及矽。 註解 :熱成長至數百?厚的厚度。 阻障氧化層 擴散 電阻 金屬 p+矽基板 表 10.1D Table 10.1氧化層應用 :摻質阻障層 目的:作為沈積或摻質植入晶圓的罩幕材料。 註解:摻質以選擇性擴散方法擴散進入矽無罩幕區域。 摻質阻障層 間隙壁 氧化層 離子植入 閘極 間隙壁氧化層保護窄通道不受高能植入影響 表 10.1E Table 10.1氧化層應用 :墊氧化層 目的:使氮化矽之應力降低。 註解:熱成長且很薄。 氮化物 ILD-4 ILD-5 M-3 M-4 墊氧化層 墊接合金屬 保護層 表 10.1F