半导体制造学-半导体工业简介.pptVIP

* * * * * * * * 半导体制造技术第 1 章半导体工业简介 課程大綱 敘述目前半導體工業的經濟規模與工業基礎。 說明IC結構，並且列出5個積體年代。 討論晶圓及製造晶圓的5個主要階段。 敘述與討論晶圓製造的改進技術之3項重要趨勢。 說明臨界尺寸(CD)的定義，同時討論Moore’s定律與未來晶圓發展的關係。 從發明電晶體開始到現今晶圓製造，討論電子工業的發展歷程。 討論半導體工業中生涯發展的不同路線。 微處理晶片 微處理機晶片(Photo courtesy of Advanced Micro Devices) 微處理機晶片(Photo courtesy of Intel Corporation) 真空管 半導體工業 產品應用 基本設施 消費者： ?電腦 ?汽車 ?航空和宇宙航行空間 ?醫學的 ?其他工業 顧客服務 原始的設備製程 印刷電路板工業 工業協會(SIA, SEMI, NIST, etc.) 生產工具 實用品 材料 化學 度量衡學工具 分析研究所 技術能力 學院 大學 晶片製造者 圖 1.1 第一個電晶體 (由Bell Labs研究製造) 圖 1.3 第一平面式電晶體 圖 1.2 積體電路 積體電路 (IC) 微晶片, 晶片 發明者 積體電路的好處 積體年代 從 SSI 晶片到 ULSI 晶片 1960 - 2000 第一個積體電路 (由TI之Jack所製造) 晶圓晶片的俯視圖 一個單一的積體電路，如晶粒、晶片和微晶片 圖 1.3 半導體積體電路 表 1.1 積體電路 半導體工業的時間週期 每個晶片組成數 沒有整合 (離散組成) 1960年前 1 小尺寸整合 (SSI) 1960年早期 2 ? 5 中尺寸整合 (MSI) 1960年到1970年早期 50 ? 5,000 大尺寸整合 (LSI) 1970年早期到1970年晚期 5,000 ? 100,000 非常大尺寸整合 (VLSI) 1970年晚期到1980年晚期 100,000 ? 1,000,000 超大尺寸整合 (ULSI) 1990年至今 ＞1,000,000 ULSI 晶片 Photo courtesy of Intel Corporation, Pentium III IC 製造 矽晶圓 晶圓 晶圓尺寸 元件與模層 晶圓廠 IC製造的主要階段 晶圓準備 晶圓製造 晶圓測試/分類 裝配與封裝 最後測試 晶片尺寸的發展 2000 1992 1987 1981 1975 1965 50 mm 100 mm 125 mm 150 mm 200 mm 300 mm 圖 1.4 矽晶片的元件和膜層 矽基板 drain 矽基板 頂部保護層 金屬層 絕緣層 傳導層的凹部 傳導層 圖 1.5 IC 製造的主要階段 1. 晶圓準備 包括結晶、長晶、圓柱化、切片和研磨。 4. 裝配和封裝 沿切刻線切割晶圓，以分隔每個晶粒。 ? 晶粒黏著於封裝體內，並進行金屬打線。 2. 晶圓製造 包括清洗、加層、圖案化、蝕刻、摻雜。 3. 測試／分類 包括探針、測試、分類晶圓上的每個晶粒。 5. 最後測試 確定IC通過電子和環境測試。 缺陷晶粒 矽棒切片 單晶矽 切刻線 單一晶粒 裝配 封裝 矽晶片的製備 1.長晶 單晶錠 端點移除和直徑研磨 主平面形成 5.晶圓切片 邊角磨光 研磨 晶圓蝕刻 拋光 晶圓檢視 研漿 研磨台 研磨頭 多晶矽 晶種結晶 加熱 坩鍋 (注意：圖1.7的名詞於第4章解釋。) 圖 1.7 晶圓廠 Photo courtesy of Advanced Micro Devices-Dresden, ? S. Doering 微晶片封裝 圖 1.8 半導體趨勢 增加晶片特性 臨界尺寸 (CD) 每一晶片上的組件數目 Moore’s 定律 功率消耗 增加晶片的可靠度 降低晶片價錢 臨界尺寸 接觸洞 線寬 間隙 圖 1.9 對於臨尺寸過去和未來技術點的比較 表 1.2 晶片上電晶體數目之增加趨勢 Redrawn from Semiconductor Industry Association, The National Technology Roadmap for Semiconductors, 1997. 圖 1.10 1997 1999 2001 2003 2006 2012 2009 1600 1400 1200 1000 800 600 400 200 年 每一微