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用TEOS LPCVD的氧化物沈積 壓力控制器 加熱器 TEOS N2 O2 真空幫浦 氣體流控制器 LPCVD 爐管三 區段加 熱器 電腦端操作介面 爐管微控制器 抽出 圖 11.17 溫度控制器 MOS元件經摻雜的多晶矽作為閘極電極 之重要原因 電阻率可由摻雜而定。 和SiO2的介面品質佳。 可適合於後續的高溫製程。 比金屬電極 (如鋁) 可靠度高。 於陡峭外形上沈積均勻。 可用於自我對準閘極製程 (見第12章)。 摻雜的多晶矽作為閘極電極 p+ p+ p+ n+ n+ n+ 圖 11.18 多晶矽閘極 n井 p井 p? 磊晶層 p? 矽基板 在CVD中使用電漿的優點 低的製程溫度(250至450℃)。 對於高深寬比間隙有很好的填溝(使用 高密度電漿)。 對晶圓有好的薄膜附著。 高的沈積速率。 由於針孔及孔洞小，有高的薄膜密度。 由於製程溫度低，應用範圍廣。 電漿CVD之薄膜形成 PEVCD反應器 連續薄膜 8. 副產物去除 1.反應物進入反應室 基板 2.藉由電場將 反應物分解 3.薄膜先前物 形成 4. 先前物吸附 5.先前物擴 散入基板 6.表面反應 7.副產物吸解 抽出 氣體傳送 RF產生器 副產物 電極 電極 RF場 圖 11.19 一般PECVD構造 製程氣體 氣體流量控制器 壓力控制器 粗抽幫浦 渦輪 幫浦 氣體盤 RF產生器 匹配之網路 微控制器 操作介面 抽出 氣體傳播遮幕 電極 圖 11.20 LPCVD和PECVD氮化矽性質 表 11.3 高密度電漿沈積反應室 (Photo courtesy of Applied Materials, Inc.) 照片 11.4 1900年代中期被廣泛使用 高密度的混合氣體朝向晶圓表面 所沈積的薄膜可充填高深寬比間隙 有各種不同高密度電漿源 晶圓偏壓及熱負載 同時沈積及蝕刻 沈積－蝕刻－沈積製程 PECVD沈積薄膜在 間隙口夾止形成孔洞 主洞缺陷 上面堆積效應 金屬 SiO2 從這裡開始解決 1.薄膜先前物之離子感應沈積 2.薄膜於間隙開口處因氬離子濺鍍蝕刻過度而呈現斜形 3.蝕刻材料再沈積，重複此製程使「底部－上部」輪廓相等 蓋層 圖 11.21 HDPCVD製程的 5 個步驟 離子感應沈積 濺鍍蝕刻 再沈積 熱中性CVD 反射 在HDPCVD中晶圓在渦輪幫浦之頸部 至粗抽幫浦 微波 2.45 GHz 電磁鐵 渦輪幫浦 閘閥 氣體注入源 晶圓在靜電平盤上 圖 11.22 介電質及特性 介電常數 填溝 晶片特性 低K介電質要求 高K介電常數 元件隔離 區域氧化 淺溝渠隔離 * * * 半導體製造技術第 11 章沉積 課程大綱 描述多層金屬化。討論薄膜的特性需求。敘述和解釋薄膜成長的3個階段。 簡述不同的薄膜沈積技術。 列出和描述化學氣相沈積的8個基本步驟，包括不同形式的化學作用。 描述CVD反應限制及說明動態反應及CVD薄膜摻入雜質的影響。 描述不同形式的CVD沈積系統，解釋設備的功用及討論薄膜應用特殊工具的優點／限制。 解釋晶片技術中介電材料的重要性，列舉出應用例子。 討論磊晶及3種不同的磊晶沈積方法。 解釋旋塗式介電質。 MSI世代MOS電晶體之薄膜層 p+矽基板 p?磊晶層 場氧化層 n+ n+ p+ p+ n井 ILD 氧化層 墊 氧化層 氮化矽 頂部 閘極氧化層 側壁氧化層 金屬前氧化層 多晶矽 金屬 多晶矽 金屬 圖 11.1 晶圓製造流程圖 測試/分類 植入 擴散 蝕刻 研磨 黃光 已完成晶圓 薄膜沈積之位置 未圖案化之晶圓 啟始晶圓 薄膜 晶圓製造 (前段) (Used with permission of Advanced Micro Devices) 圖 11.2 簡介 晶圓之薄膜層 擴散 薄膜 薄膜的專門用語 多層金屬化 金屬層 介電層 ULSI晶圓的多層金屬化 圖 11.3 保護層 接合墊金屬 p? 矽基板 Via ILD-2 ILD-3 ILD-4 ILD-5 M-1 M-2 M-3 M-4 p? 磊晶層 p+ ILD-6 LI氧化層 STI n井 p井 ILD-1 多晶矽閘極 n+ p+ p+ n+ n+ LI金屬 晶片中之金屬層 (Micrograph courtesy of Integrated Circuit Engineering) 照片 11.1 薄膜沈積 薄膜特性 好的階梯覆蓋能力 具有充填高深寬比間隙之能力 好的厚度均勻性 高的純度及密度 理想配比可控制 具有低應力的高薄膜品質 電性佳 基板材料和薄膜附著性優越 固