半导体光学17限制光学声子模.pptVIP

ZnO:Ga 对声子极化激元的影响 △由于自由载流子的屏蔽作用，下支在 之上，受等离子激元-LO声子混合模影响较严重. △ 在k很大时,下支几乎不存在色散. ●反射谱： 温度升高,反射谱兰移, 变形.与UPB和 下支有一定的色散. 有关. 第14章 激子的光学性质 14.1 激子—光子相互作用 1.弱耦合(微扰论描述.) ①光子吸收系数 由K-K关系,可得在远离共振条件下, 折射率 ②虚激发过程： 电子系统初态为 光子 跃迁到虚中间态, 经过时间 ,返回 结果是光子的相速度 减小. 当 ,这是因为 吸收 2.强耦合—激子极化激元 ①算符 ▲激子 ●产生与消灭算符： ●玻色子： 条件:在 内平均e-h对数目要小,d为维度. ●非相互作用激子气哈密顿量 ▲光子 ▲光子与激子相互作用系统 其中 为耦合系数,包含跃迁矩阵元. ▲激子极化激元算符 并且满足 于是 即H对角化. 描述激子极化激元的类激子特征, 描述激子极化激元的类光子特征. UPB ●类激子支到类光子支之间过渡区域； ③LPB中瓶颈部分： 经验公式 ②激子极化激元范围（包括类激子支） ●激子动能与 可比. ●激子极化激元中激子与光子耦合最强区域. 14.2空间色散结果 ①多模传播 ②附加边界条件（ABC） ●一般边界条件 只有两个：法向，切向,因此无法确定 这三个量. ● ABC： 佩卡条件： 即激子不能从样品中 逸出,因而样品表面处的激子极化强度为零. 进一步修正：在一定厚度的表面层中不存 ▲ ●限制光学声子模 ▲如图是CdS和ZnSe层前两个限制光学声子模的原子位移分布. IFM为界面模，E IFM为扩展界面模（类似于声子模）. ● ● ● ● ● ● ● ● ● 由于本征频率不匹配,在边界之前振幅就快速衰减.对于高分辨率的拉曼谱, ZnSe中前两个限制光学声子模可以观察到,而CdS中限制光学声子模由于CdS品质较低，明显加宽而无法显现. 13.6表面声子极化激元 1.色散 2.实验 表面波的波矢量为 反射率R下降意味着表面声子极化激元产 生 受抑全反射 实验结果： 13.8局域声子模 1.色散 2.实验 ●GaAs中掺入Si，Si取代Ga（作为施 主）,记为 ；Si取代As（作为受主）, 记为 ●掺入Li 降低自由载流子浓度（Si作为受主与施主不平衡）. ●吸收谱 Si和Li的质量较小，而弹性系数并不小, 原子序数 Si 14 IV族, Ga31III族, As33V族 Li 2 I族, 因此,局域模频率高于体模. GaAs: Si, Li 13.9 等离子激元 1.激发方式： ①高浓度掺杂. ②高能量激发. 2.自由电子气 若 在 区域,介电 折射率为纯虚数,反射率接近1. 函数实部小于0,相应 R陡峭下降部分称为等离子边缘. 当 该图表明，随着载流子的密度增加,等离子频率增加， 根据 值可以 确定 金属中等离子频率在5～15eV. 3.表面等离子激元 ①色散(0～ ②实验中由受抑全反射产生. ③根据 对应大波矢表面极化激元 4.等离子-LO声子混合模 等离子激元 纵极化电场 纵光学声子模, 产生等离子激元-纵光学声子耦合模上支 和下支