CMOS低压差线性稳压器设计 .pptVIP

* * 三、LDO模块设计及仿真结果 a）频率响应： 图3?8 误差放大器开环频率响应特性 开环增益： 单位增益带宽： UGB=40MHz 仿真方法：断开反馈后，在误差放大器的两端分别加相同的直流电平1.245V，并在同相端叠加一个AC=1V的交流小信号，做交流仿真就可以测出放大器的开环增益。 。 * * 三、LDO模块设计及仿真结果 b）电源抑制比PSRR： PSRR=60db@1kHz 图3?9 误差放大器的PSRR仿真结果 仿真方法：运放接成单位增益缓冲器，在运放的同相端加直流信号（l.245V），电源的直流电压（5V）上叠加交流信号（1V），进行交流仿真，观察输出电压波形。 * * 三、LDO模块设计及仿真结果 c）共模抑制比： 图3?10 误差放大器的CMRR仿真结果 CMRR=42db 由共模变化而产生的不期望的差动成分,必须用放大后所需要的差动输出归一化 . 仿真方法：运放接成单位增益缓冲器，在运放两输入端加相同的直流电压（1.245V），并叠加上AC=1V的交流信号，进行交流仿真，观察输出电压波形。 * * 三、LDO模块设计及仿真结果 3、PMOS功率管及反馈网络 调整元件 性能 NPN 达林顿 NPN PNP NMOS PMOS 输出电流 能力 高 高 高 中等 中等 静态电流 中等 中等 大 小 小 漏失电压 效率 低 中等 低 中等 高 速度 快 快 中等 中 中 a)功率管的种类选择： 表3?1 采用不同功率管的线性降压稳压器的性能比较 NPN技术呈衰退趋势; PNP保持一定的市场份额; PMOS 主要在7 V 以内应用, 其产品开发长期最受重视。 典型LDO功能框图 超低的饱和压降 允许一定功耗 二次击穿性好 电流增益大 * * 三、LDO模块设计及仿真结果 b)功率管的尺寸计算： ：单位面积的栅氧化层电容 ：电子迁移率 * * 三、LDO模块设计及仿真结果 c)反馈网络阻值的确定： * * 三、LDO模块设计及仿真结果 4、过流保护电路 图3?12 过流保护模块实际电路图 恒定电流限制 折返电流限制 * * 三、LDO模块设计及仿真结果 图3?13 过流保护负载电流与输出电压的关系 过流保护仿真结果： 恒定电流限制250mA 折返电流限制60mA * * CMOS低压差线性稳压器设计 * * 内容提要 背景 LDO基本理论 LDO模块设计及仿真结果 LDO整体仿真结果及分析 结论 研究目的和意义 线性稳压器发展现状 * * LDO究竟是什么？ * * 一、背景 低压差线性降压稳压器 LDO（low drop out） * * 一、背景 电源管理电路控制信号类型： 模拟 数字 混合 （1）发展最早、应用最为广泛的电源，技术较为成熟。对于无需和外部通信的应用场合，可提供最经济有效的电源管理解决方案。 （2）灵活性高、能通过编程为不同客户提供智能化电源解决方案，但成本比较高，性能也不如模拟电源优越。 （3）近期发展起来，综合了模拟和数字电源的优点，但是成本较高。 就目前的技术、工艺水平和市场需求而言，模拟电源仍是发展的重点；在未来的发展道路上，最可能的结果是三种技术各展所长，共同推动电源管理技术的发展。 * * 一、背景 电源管理电路结构类型： AC/DC离线变换器 功率因数校正（PFC）预调器 开关稳压器 线性稳压器 电池充电/管理IC * * 一、背景 线性稳压器 开关稳压器 功能 降压 升压、降压、反相 效率 低；高（压差较小时） 高；低（低负载电流） 结构复杂度 低，外接输入输出电容构成应用电路 高，电感、二极管、滤波电容 尺寸 小；大（需要散热器） 大，但不需要散热器 成本 低 高 纹波/噪声 低，无电磁干扰 高，产生电磁干扰 负载电流 小 大 表1-1两种稳压器性能比较 * * 一、背景 （1）德州仪器公司（TI）：TPS74XXX系列 （2）凌特公司（Linear Technology）：LTC3446 （3）ADI： ADP3338 和ADP3339 其压差电压190mV@1A （4）圣邦微电子有限公司： SG2001、SG2002、SG2003 SG2007、SG2006、SG2005 更高效率、更高电源密度、更小占位面积、更大可靠性、更低成本 国内LDO 的开发尚处于刚刚起步阶段。目前国内仅有为数不多的几个单位在进行开发工作, 产品种类少, 产量不大, 且大多数水平较低。 全球电源和功率管理IC 市场全面的领先者是： Texas Instruments； National Semiconductor； On Semiconductor；Linear Technology； Fairchild 和M ax im