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附件2 双极模拟集成电路的一种对通隔离工艺 思考题 1.与典型的PN结隔离工艺有什么不同？ 2.需要几块光刻掩膜版(mask)及各自的作用是什么？ P-Sub N+埋层 工艺流程 N–-epi 思考题 1.需要几块光刻掩膜版及各自的作用是什么？ 2. P阱的作用是什么？ 3. NMOS和PMOS的源漏如何形成的？衬底电极如何向外引接？ 附件3 P阱硅栅CMOS集成电路工艺 衬底准备：N型单晶片（或N+/N外延片） N-Sub N+-Sub N-epi 氧化， 光刻P-阱(pwell) P-阱注入， P-阱推进，清洁表面 长薄氧，长氮化硅，光刻场区(active) N-Sub P阱注入(B+) P-阱 N管场区光刻、注入（pwell mask) P管场区光刻、注入：(pwell mask rev opt) 场区氧化（LOCOS ），清洁表面 N-Sub P-阱 N管场区注入 P管场区注入 长薄氧(注入缓冲层） N管VTN调整注入（pwell mask) P管VTP调整注入：(pwell mask rev opt) 清洁表面 N管VTN调整注入 P管VTP调整注入 N-Sub P-阱 长薄氧（栅氧化层） 淀积多晶硅，多晶硅掺杂（N+） 反刻多晶（polysilicon—poly) 磷掺杂（N+） N-Sub P-阱 NLDD注入（N+ mask—Nplus Nselect） PLDD注入（P+ mask—Pplus Pselect） 形成侧墙 N管LDD注入 N-Sub P-阱 P管LDD注入 N+ active 注入 P+ active 注入 N+ active注入（N+ mask-- P+ rev） P+ active注入（P+ mask） N-Sub P-阱 清洁表面 淀积BPSG，光刻接触孔(contact)，回流 淀积金属1，反刻金属1（metal1) N-Sub P-阱 附件1N沟E/D MOS集成电路工艺 思考题 1.需要几块光刻掩膜版及各自的作用是什么？ 2.什么是局部氧化（LOCOS—Local Oxidation of Silicon)？ 3.什么是硅栅自对准(Self Aligned )？ 4.耗尽型器件是怎么形成的？ 衬底准备：P型单晶片（或P+/P外延片） P-Sub P+-Sub P-epi 生长薄氧:缓冲层（Si-- Si3N4） 生长氮化硅:抗高温氧化 光刻场区:除有源区（active)以外的区域 P-Sub SiO2 Si3N4 有源区(active) 场区注入:提高场开启电压VTF 场区氧化(局部氧化--LOCOS)： 1.提高场开启电压VTF 2.器件间的表面隔离 3.降低表面台阶 场区P+注入（B+) P+ P+ P+ P-Sub SiO2 Si3N4 FOX FOX FOX 生长薄氧：注入缓冲层 D管光刻 D管注入：耗尽型管Vth调整 E管光刻 E管注入：增强型管Vth调整 耗尽N型注入（As+) E管Vth调整注入 P-Sub 生长薄氧：栅氧化层 光刻埋孔：多晶与有源区的连接孔 淀积多晶 多晶掺杂 反刻多晶 P-Sub N+磷注入 源、漏区注入（自对准N+注入），低温淀积PSG PSG回流及结推进，光刻引线孔，金属淀积 反刻金属，合金化，表面钝化，光刻钝化窗口 P-Sub N+磷注入 P-Sub 对应的版图和电路 P-Sub P-Sub 提问： P-Sub P-Sub 1. 局部氧化的作用是什么？ 2. 硅栅自对准的作用是什么？ 3. 用多晶硅布线有何限制？ 思考题 1.需要几块光刻掩膜版及各自的作用是什么？ 2. N阱的作用是什么？ 3. NMOS和PMOS的源漏如何形成的？衬底电极如何向外引接？ §1-3 N阱硅栅CMOS集成电路工艺 衬底准备：P型单晶片（或P+/P外延片） P-Sub P+-Sub P-epi 氧化， 光刻N-阱(nwell) N-阱注入， N-阱推进，清洁表面 长薄氧，长氮化硅，光刻场区(active) P-Sub N-阱注入 N-阱 P管场区光刻、注入（nwell mask) N管场区光刻、注入：(nwell mask rev opt) 场区氧化（LOCOS），清洁表面 P-Sub N-阱 P管场区注入 N管场区注入 长薄氧 P管VTP调整注入（nwell mask) N管VTN调整注入：(nwell mask rev opt) P管VTP调整注入 N管VTN调整注入 P-Sub N-阱 长薄氧（栅氧化层） 淀积多晶硅，多晶硅掺杂（N+） 反刻多晶（polysilicon—poly) 磷掺杂（N+） P-Sub N-阱 PLDD注入（P+ mask—Nplus Nselect） NLDD注入（N+ mas