集成电路制造技术第七章(化学汽相沉积技术)-14.pdfVIP

第七章：薄膜制备技术—— 化学汽相沉积法 Chapter 7: Thin Film Deposition Techniques —— Chemical Vapor Deposition (CVD) PVD vs. CVD • CVD: Chemical reaction on the surface • PVD: No chemical reaction on the surface PVD CVD Poor step coverage (15%) Better step coverage and gap fill capability (50~100%) higher quality, purer has impurity in the film deposited film higher conductivity lower conductivity easy to deposit alloys easy to deposit dielectrics Chemical Vapor Deposition (CVD化学气相沉积) • 对于一种或数种物质的气体，以某种方 式激活后（如高温、等离子化、光），在 衬底表面发生化学反应，并沉积出所需固 体薄膜的生长技术。 • 与物理气相沉积不同的是沉积粒子来源 于化合物的气相分解或反应。 • 一般用于介质层和半导体层薄膜制备。 CVD的在集成电路制造中的重要性 CVD的特点 (1) 可以在大气压下(常压APCVD)或低于大气压 (LPCVD)下进行沉积； (2) 采用等离子或激光辅助技术可促进化学反应，使 沉积温度降低；减轻衬底热形变，并抑制缺陷的生成； (3)可控制材料的化学计量比，厚度可控性好，沉积速 率高于PVD。 (4) 沉积薄膜与衬底附着力好，台阶覆盖性好； (5) 绕镀性好，可以在复杂形状表面镀膜； (6) 可以形成多种金属、合金、陶瓷、和化合物薄膜。 CVD技术可以制备的材料 介电材料：SiO , Si N , SiO N , PSG, BSG 2 3 4 x y (BSG: Boron-doped SiO , 硼硅玻璃; PSG: phospho silicate glass(PSG), 磷硅玻璃) 2 低介电材料:掺碳SiO , 氟化非晶碳 2 高介电材料：Ta O , BST(Ba Sr TiO ) 2 3 0.5 0.5 3 导电材料: Polysilicon, WSi , W, TiN/Ti, Cu x CVD过程六种基本化学反应(一) 化学键断裂分解：高温、光、微波、电弧辅助 例子： 多晶硅薄膜的制备：SiH (气态) Si(固态)+2H (气态) 4 2 碳化硅膜的制备：CH SiCl (气态) SiC (固态) +3HCl (气态) 3 3 还原反应：反应物分子与H 发生反应 2 例子： 多晶硅薄膜的制备：SiCl (气态)+2H Si(固态)+4HCl(气态) 4