集成电路制造技术第五章-2(化学机械抛光).pdfVIP

第八章化学机械抛光CMP (Chemical Mechanical Planarization) 化学机械抛光的重要性 （1）铜比铝具有更佳的 导电率，是亚微米线宽的 电极布线的理想材料。 •铜湿法刻蚀钻刻严重。 •铜的等离子体刻蚀很难 实现，且效果较差。 •CMP技术是实现大马士 革结构铜布线层关键工艺。 集成电路微细化的追求： 高集成度 更快的器件运行速度 在追求纳米级线宽与多层 布线的趋势中，存在几个 典型的技术难题。 (2)分辨率和焦深的折衷 k k R , 2 NA NA (3) 表面平坦化 减小台阶，提高镀膜 效果。 • 表面平坦化的问题 • 例子1 用0.25 mm工艺制作256 MB DRAM ，在 运用两层铝金属导线的情况下，在存储 单元及外围电路部分，高台(存储单元) 和低地(外围电路)两者的高度将相差约1 mm ，而此工艺的焦深只有约0.20 mm 。 这对曝光机的聚焦效果将造成影响。 因此必须表面平坦化。 例子2 • Photolithography resolution R=K /NA 1 • To improve resolution, NA or  2 • DOF=K /2(NA) , both approaches to 2 improve resolution reduce DOF • Here we assumed K =K , =248 nm (DUV), 1 2 and NA=0.6, Resolution for 0.25 mm DOF = 208 nm and 150 nm for 0.18 mm resolution • 0.25 mm pattern require roughness 200nm • Only CMP can achieve this planarization • When feature size 0.35 mm, other methods can be used Definition of Planarization • Planarization is a process that removes the surface topologies, smoothes and flattens the surface • The degree of planarization indicates the flatness and the smoothness of the surface Definition of Planarization Definition of Planarization Degrees of Planarization Planarization • Smoothing and local planarization can be achieved by thermal flow or etchback. • Global planarization is required for the feature size smaller than 0.35 mm, which can only be achieved by CMP. Advantage of CMP • Planarized surface allows higher resolution of photolithograp