《集成电路制造技术》复习参考提纲.docVIP

《集成电路制造技术》复习参考提纲 集成电路制造业的摩尔定律的终结和未来发展趋势，掌握基本观点。 光学光刻的基本工艺流程。 光刻系统的性能指标和影响光学曝光系统曝光精度的几个主要参数。提高光学光刻分辨率的方法；数值孔径NA对曝光分辨率(R=k?/NA)和曝光聚焦深度(?=?/NA2，?为曝光波长)的影响。 电子束光刻的基本原理和流程，响电子束光刻精度的因素和校正方法。 极深紫外光刻的基本原理和光刻机结构 比较光学曝光、X射线曝光、电子束曝光这三种曝光技术的基本原理及其优缺点； 等离子体的产生方法和设备，RIE、ICP和ECR的三种产生等离子体的方法差别及其在刻蚀工艺中的特点。 刻蚀的基本工艺流程，干法刻蚀和湿法刻蚀的基本机理与其优缺点。为什么干法刻蚀能获得垂直侧壁。 刻蚀工艺的7个特征参数：刻蚀速率，各向异性，均匀性，选择性，过刻，钻刻，负载效应。 SiO2、Si、Si3N4和Al的刻蚀方法（各向异性，各向同性，湿法，干法，Si-SiO2刻蚀选择比），控制参数，采用的气体种类。 化学机械抛光的基本原理和优缺点，掌握金属和氧化物的CMP工艺及原理。 物理气相沉积的主要方法和设备（热蒸发，电子束蒸发，磁控溅射），各具有什么特点，对真空环境有什么要求。 化学气相沉积的基本原理（8个步骤），主要方法和设备。决定薄膜沉积速率的2个主要影响因素，温度对沉积速率的影响。 衡量薄膜质量的特性参数（主要掌握台阶覆盖能力、膜应力、深宽比间隙填充能力） SiO2和Si的薄膜沉积方法。 扩散的工艺流程和基本原理，预沉积阶段与推进阶段的杂质浓度扩散的特点。 离子注入的工艺流程和基本原理。比较扩散与离子注入的优缺点 离子注入过程中的两种主要能量损失机制。 离子注入的停止机制和沟道效应的解释，消除沟道效应的方法。 SIMOX工艺的原理和工艺流程。 热氧化工艺的基本原理。干法氧化和湿法氧化的区别。（以Si与SiO2为例） 氧化层生长厚度随时间的变化关系，出现2段不同生长速率的原因。影响氧化速率的参数有哪些。 掌握利用Deal-Grove模型计算氧化层厚度的方法，注意初始氧化层对氧化的影响。 隔离的概念，作用和常用的隔离方法。比较PN结隔离，LOCOS，STI和SOI的优缺点。 解释PN结隔离的隔离宽度的估算方法。解释PN结隔离的寄生效应及其解决方法。 LOCOS的工艺步骤。解释鸟嘴效应及其改进方法。 浅沟道隔离STI的工艺步骤。STI和深沟道隔离DTI的区别。 解释SOI隔离的特点及其几种实现方法 利用你学过的集成电路制造工艺技术，设计简单的微结构的基本制造工艺/步骤/所采用的技术。