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第二章第二节：下一代光刻技术
Next Generation Lithography
•EUV
•E-beam Lithography
•X-ray Lithography
Lithography Resolution Comparison
m
0.25um
m
2um
2
电子束光刻
E-beam Lithography
3
E-beam Lithography ( 电子束光刻)
电子束光刻是利用某些高分子聚合物
对电子敏感而形成曝光图形的，称其
为曝光完全是电子束辐照与光照类比
而来。
4
与光学光刻比较所具有的优势
分辨率极高，适用于制作纳米尺寸图形。
电子是一种带电粒子，根据波粒二相性原理可以计算出电子
的波长：
1.226
(nm)
V
其中V为电子能量，单位为eV 。
从上式可以估算，能量为100eV的电子的波长约为0.12nm 。
在此波长范围，传统光学光刻中影响图形分辨率的衍射效应
可以忽略。因此，影响电子束曝光图形分辨率的主要因素是
电子像差、电子束中电子之间的库仑相互作用、电子入射感
5 光胶后产生的散射效应以及二次电子的散射效应。
电子束光刻的工艺流程
6
电子束光刻系统的基本构造
电子枪及准直系统
聚光透镜
电子束挡板及快门
投影透镜和偏转器
7
电子枪
电子枪通常由两部分组成：发射电子的阴极和阴极透镜
电子束
8
电子枪材料
8
9 Field emission
电子束曝光方式
Scan Techniques for E-beam Lithography
工件台移动和曝光写场
电子束偏转范围受限 工件台移动切换曝光写场
(field)
曝光图形被分成许多个小区域(field)
10
电子曝光系统的工作模式
矢量扫描 Vector scan
——只在曝光图形部分扫描
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