微电子学概论ch集成电路制造工艺.ppt

集成电路制造工艺;;需要集成的内容;集成电路设计与制造的主要流程框架;集成电路的设计过程： 设计创意 + 仿真验证;集成电路芯片的显微照片;双极工艺 双极集成电路 CMOS工艺 CMOS集成电路;NPN晶体管;N沟道MOS晶体管;CMOS集成电路(互补型MOS集成电路)：目前应用最为广泛的一种集成电路，约占集成电路总数的95%以上。;集成电路制造工艺;集成电路制造工艺;OUTLINE ;图形转换：光刻技术;光刻胶、掩膜版 光刻胶又叫光致抗蚀剂，它是由光敏化合物、基体树脂和有机溶剂等混合而成的胶状液体。 光刻胶受到特定波长光线的作用后，导致其化学结构发生变化，使光刻胶在某种特定溶液中的溶解特性改变。 正胶：曝光后可溶，分辨率高 负胶：曝光后可溶，分辨率差，适于加工线宽≥3?m的线条;正胶：曝光后可溶 负胶：曝光后不可溶;光刻的主要步骤;曝光 受光照射的光刻胶发生光化学反应。 确定图案的形状和尺寸；掩膜版 显影 已曝光的芯片侵入显影液中，通过溶解部分光刻胶的方法，使胶膜中的潜影显出。 后烘（坚膜） 使显影后的图形牢固粘附在硅片上。 方法：热垫板等。;接触式光刻：分辨率较高，但是容易造成掩膜版和光刻胶膜的损伤。 接近式光刻：在硅片和掩膜版之间有一个很小的间隙(10～25?m)，可以大大减小掩膜