微纳电子材料与工艺.pptxVIP

微纳电子材料与工艺（2）;;;;;;硅片粗选;酸洗、碱洗、清洗;;抽样观察绒面效果;石英舟装载;扩散炉;边缘刻蚀;石墨舟转载;PECVD镀减反膜;;;;硅薄膜工艺 ;;CVD Growth;CVD外延生长的规律;;非晶硅太阳能电池;非晶硅的优点;非晶态半导体 ;非晶态的结构;非晶硅的缺陷;Anderson晶格;非晶硅的能带;非晶硅的迁移率边缘;1975 年，Spear通过辉光放电技术分解硅烷，得到的非晶硅薄膜中含有一定量的氢，使得许多悬挂键被氢化，大大降低了材料的缺陷态密度，并且成功地实现了对非晶硅材料的p型和n型掺杂。;;;相???;非晶硅的能带;非晶硅的光学特性;非晶硅的吸光系数;吸光系数与光学带隙;光学带隙与氢含量;非晶硅的电学特性;;非晶硅的光电导;;非晶硅的优点;本周课堂习题 ，一共两道 (下周二交给助教）;;;;;;;53;Cooling of a 80%Cu-20%Ni alloy from the melt to the solid state.;微纳电子材料与工艺;56;Lever Rule杠杆定律;金属薄膜工艺 器件减小，是的大的高宽比（通孔：接触窗） 在微电子工业中，金属薄膜主要用于： 欧姆接触 (Ohmic Contact) 肖特基接触 (Schottky Barrier Contact) 低阻栅电极 (Gate Electrode) 器件间互