半导体物理习题第五章pn结.docVIP

第五章 pn结 讨论pn结势垒高度对禁带宽度、掺杂浓度以及温度的依赖关系。若p、n两边掺杂浓度分别为1015/cm3和1017/cm3，求本征载流子浓度ni分别为1.5?1010/cm3和2.3?1013/cm3这两种情形300K时的自建势。 对于施加偏压V的pn结，证明： 在突变结耗尽近似的条件下，求p-i-n二极管中的电势分布，画出相关的能带图，并证明空间电荷区厚度为：。其中i为本征层（载流子浓度近似为0），d为i区厚度。 说明在小注入情形下pn结中注入基区的少子主要以扩散运动为主。 说明Si和Ge的pn结的反向电流为何随温度增大？当温度由300K增加到500K时，Si的pn结的反向电流增加多少倍？ 分析反向偏置的pn结中准费米能级的变化并示意画出扩散区中少子的分布。 说明在小注入pn结中，电子在多子区（N型区）、空间电荷区（耗尽区）、注入区（P型基区）的输运情况；并讨论在pn结两边的电子电流和空穴电流是如何实现转换的。 讨论pn结两侧的掺杂情况对结性质的影响 电子电流和空穴电流的比值 空间电荷区宽度及其在两边的分配 耗尽电容（单位面积） 若Si的介电常数?Si＝12，NA＝1017/cm3，ND＝1015/cm3，求偏压为0.3V，0V，-10V时的势垒宽度和单位面积耗尽电容。 9. pn结的稳态电流和过剩载流子稳定的非平衡载流子积累相联系。若对处于正向偏置的pn结突然施加反向电压，则在正向偏置向反向偏置转换的一瞬间会发生什么现象？ 10. 由实验得到的电容电压关系可表示为1/C2=A+BV 由此如何得到自建势？ 结面积为1mm2的突变结p+n结的电容为：0V，300pf；-1V，180pf。求自建势和零偏压势垒宽度。 11. 求解线性缓变结近似的Poisson方程及其电势和电场分布，画出相关的能带图，并证明其结电容的公式为： 12. 说明pn结击穿电压对材料掺杂浓度和禁带宽度的依赖，并讨论什么因素影响雪崩击穿和齐纳击穿的击穿电压；