产品可靠性加速试验理论方法.docx

力口 導稔才造  1.1失效模式 1.1失效模式 器件类别 失效模式 电阻器 ⑴开路⑵短路 ⑶阻值漂移 电容器 铝电解电容器：⑴开路⑵短路（3）参数超差⑷漏电流增大⑸漏 液 非固体电解担电容：⑴瞬时开路⑵参数退化 固体担电解电容器：⑴短路⑵参数退化 瓷介质电容器：⑴开裂⑵短路；⑶低电压失效 电感及磁性元 器件 ⑴开路⑵短路⑶参数漂移 电连接器 ⑴开路⑵短路 ⑶工作不连续⑷插损大 ⑸倾斜、不对准、缺针 开关 ⑴开路⑵卡紧⑶短路⑷接触不良 继电器 ⑴开路 ⑵短路 ⑶参数漂移 ⑷触点断开、粘接⑸线圈短、断路 旋转电机 ⑴启动故障⑵线圈故障⑶轴承故障⑷电刷故障⑸失控⑥无输 岀 真空电子器件 ⑴失控；⑵性能超差或退化⑶电源故障⑷破裂⑸烧毁  1J失效模式 器件类别 失效模式 二极管 （1）开路（2）短路（3）阈值电压增加（4）反向漏电增加 （5）反向击穿电压下降 三极管 （1）开路（2）短路（3）过功率烧毁（4）放大倍数Hfe下降 （5）漏电流増加（6）反向击穿电压下降（7）饱和电压増加 （8）漏气 单片 集成电路 （1）开路（2）短路、漏电（3）过功率烧毁（4）参数漂移 （5）功能失效（6）漏气 微波单片集成 电路（MMIC） ⑴参数漂移或退化 ⑵无输岀⑶频率变化 光电子器件 ⑴开路⑵短路⑶不能切换⑷退化 激光器 ⑴镉损耗⑵冷凝器阻塞⑶裂缝 晶体 振荡器 （1）无输出（2）输出频率不稳定。 微波分立元器 件和电路 （1）开路（2）短路、漏电（3）过功率烧毁（4）参数漂移（5） 功能失（6）漏气（7）灯丝断（8）放电打火（9）击穿（10）真空 度降低（11）螺旋线电流增大 电线、电缆 ⑴开路⑵短路⑶松动 序号 L2失效机理 机理名称 描述 典型案例 机械损伤 籬器富讀體轟由于机械应力导致元器件表面.属膜划伤缺陷 结刺穿 铝金属化再结构 在铝膜加工中，发生由于硅的局部溶解而产生的铝 “穿刺”透入硅底村，形成PN结界面处为一导电物所惇致PN结短路失效 穿透。 由于铝比Si02或硅的膨胀系數大，元器件在工作过程 中由于温度变化或温循效应，铝膜受到张应力和压应悟卞苛m堅而小胃 力的影响，会导致铝金属化层的再结构。 皆*農鬣面 丘 铝金属化层表面粗糙甚至表面发黑，显微 金属化电迁移 表面离子污染 当元器件工作时，金属互连线的铝条内有一定强度电内因是薄膜导体内结 流通过，在电流作用下金属离子沿导体移动，导致导构的非均匀性；外因 体内某些不为产生空洞或晶须。 是电流密度。 金属的腐蚀 电极和封装系统生锈 断裂 在制造过程中，因芯片表面沾污了湿气或导电物质， 或由于辐射电离、静电荷积累等影响，在SiO2表面产 生正负离子，在偏压作用下移动，降低了表面电导， 引起表面漏电和击穿蠕变等效应。 L2失效机理 序号I机理名称 10 典型案例 金属的腐蚀 金属化合物失效 银迁移 过电应力 当金属与周边物质接触时，由于发生化学反应或电什引线腐蚀 化学作用而引起金属的破化。 内部金属化腐蚀 两种金属在长期贮存后，因化学势不同，它们间产 生金属间化合物，在键合点处生成金属化合物将严性能退化 重影响和恶化键合界面状态，如使键合强度降低， 变脆开裂，接触电阻增加。 在贮存中，由于湿气.水分导致相対活泼的金属银 离子发生迁移，导致电子设备出现短路、耐压恶化 及绝缘性能变坏 在贮存期间的检测中，如果所加电压导致某个元器 件上承受的电压（瞬时间）超过其规定的最大值， 将可能造成元器件的损伤。 引线脱落 导体间出现乳白色污 迹 爆米花效 应 塑封元器件的塑封材料内的水汽在高温下受热发生 膨胀，使塑封料与金属框架和芯片间发生分层效应 拉断键合丝，从而发生开路失效. 内部材料融化 性能严重劣化甚至功 飞丧失 日% 1.3失效物理模型分 1 模型名称 界限模型 模型含义 当应力超越某一界限即引起失效，成 能■的累积超过某一限度就造成损坏 关注对象 应力（能 力）的界 限 试验对策 余■试验 限度检验 了解材料的界限十分重要 为防止材料破化，就要根 据已知界限来考虑安全余 量。 2 耐久模型 元件、材料灯工作于安全工作区内， 在初始时刻产品状态良好，随着时间 推移，产品强度逐渐下降至失效，耐 久模型也可以叫做退化模型。 退化超差 时间 耐久试验 强度退化又和因端变、磨 损、疲劳、腐蚀等原因而 逐步演变至失效的反映论 模型有关。 3 应力一强 度 模型 最初应力与耐受强度留有充分安全余 量，经过一段时间后，随着应力分布 与强度分布的交蠢，存在应力超过产 品耐受强度的情况，失效就会发生， 这种情况可以说是耐久模型的典型类 应力和强 度随时间 的分布 提高强度使 之变得难以 退化； 降低应力或 消除应力. 当应力超过产品的耐受强 度时，失