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集成电路基础工艺与制造工艺;集成电路设计与制造的主要流程框架;集成电路的设计过程：
设计创意
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仿真验证;;集成电路芯片的显微照片;集成电路的内部单元(俯视图);N沟道MOS晶体管;CMOS集成电路(互补型MOS集成电路)：目前应用最为广泛的一种集成电路，约占集成电路总数的95%以上。;;第3章 集成电路工艺简介;图形转换：光刻;正胶：曝光后可溶
负胶：曝光后不可溶;第4章 CMOS集成电路加工过程简介
一、硅片制备
二、前部工序
;掩膜1： P阱光刻
具体步骤如下：
1．生长二氧化???：
;2．P阱光刻：
涂胶、掩膜对准、曝光、显影、刻蚀
3．去胶
4．掺杂：掺入B元素
;掩膜2 ： 光刻有源区
淀积氮化硅
光刻有源区
场区氧化
去除有源区氮化硅及二氧化硅
生长栅氧
淀积多晶硅
;;掩膜3 ：光刻多晶硅
掩膜4 ：P+区光刻
1、P+区光刻
2、离子注入B+，栅区有多晶硅做掩蔽，称为硅栅自对准工艺。
3、去胶;
掩膜5 ： N+区光刻
1、N+区光刻
2、离子注入P+
3、去胶;
掩膜6 ：光刻接触孔
;掩膜7 ：光刻铝引线
1、淀积铝 2、光刻铝
;掩膜8 ：刻钝化孔
中测打点;三、后部封装 （在另外厂房）
（1）背面减薄
（2）切片
（3）粘片
（4）压焊：金丝球焊
（5）切筋
（6）整形
（7）所封
（8）沾锡：保证管脚的电学接触
（9）老化
（10）成测
（11）打印、包装;
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