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北京工业大学本科毕业设计（ 北京工业大学本科毕业设计（论文） 北京工业大学本科毕业设计（ 北京工业大学本科毕业设计（论文） 微波晶体管放大器设计 1■引言 随着通信技术特别是无线通信技术的飞速发展，人们对于无线通信终端的要 求进一步提高，作为承担天线感应下来的微弱信号放大任务的低噪声放大器也必 须进一步的适应通信信号对其的要求。 通信信号本身就是高频载波信号，这就要求低噪声放大器能够在高频情况下 工作。由于硅器件的截止频率fT为50GHz的理论极限已在日趋接近。在这种情 况下，由于三~五族化合物半导体GaAs的电子迁移率比硅高出5倍，目前的戒 指频率fT已经超过了 100GHz，集成化技术也取得很大进展，但是 GaAs材料具 有明显的缺点：价格贵它的晶片制造工艺复杂，难度大，机械强度不好，容易碎 片；热导率低，只有硅材料的1/3。更主要的是GaAs工艺与硅平面工艺不能兼 容。使得现有的无法继续使用，如更换器材成本太大。所以这些缺点很大程度上 影响了 GaAs器件及其集成电路技术的发展。 在本世纪80年代，在硅片上外延生长出了高质量的 SiGe应变材料，人们利 用“能带工程”理论成功地研制出 Sii-xGex基区的双极性异质结晶体管，由于 Sii-xGex应变材料，电子迁移率高，其禁带宽度可通过 Ge组分变化调节的优点， 显示出独特的有价值的物理性质。在高频、高速、光电、低温等器件及