制绒原理及工艺.pptxVIP

;;捕获更多的光子 消除表面污染 去除损伤;原始硅片阳光吸收图;硅片切割后清洗工艺中的有机物沾污； 硅片表面的碳沾污； 硅片切割时润滑剂的粘污。如果润滑剂过粘，会出现无法有效进入刀口的现象，如润滑剂过稀则冷却效果不好。这些润滑剂在高温下有可能碳化粘附在硅片表面。;（一）硅锭的铸造过程;（二）多线切割;（三）机械损伤层;有机溶剂腐蚀：TMAH（四甲基氢氧化氨）;; 左图中蓝色线为抛光后的Si的反射图，经过不同织构化处理之后的反射图。 右图为在织构后再沉积SiNx:H薄膜的反射光谱图。;; 1、水分子的屏蔽效应（screening effect）阻挡了硅原子与OH根离子的作用，而水分子的屏蔽效应又以原子排列密度越高越明显。 2、在{111}晶面族上，每个硅原子具有三个共价健与晶面内部的原子健结及一个裸露于晶格外面的悬挂健，{100}晶面族每一个硅原子具有两个共价健及两个悬挂健，当刻蚀反应进行时，刻蚀液中的OH－会跟悬挂健健结而形成刻蚀，所以晶格上的单位面积悬挂健越多，会造成表面的化学反应自然增快。;布满整个硅片表面;;;去除硅片表面的污染物； 在硅片表面腐蚀出绒面； 络合硅片表面沾污的金属离子。;;;多晶晶粒取向不一致，其表面的各向异性碱腐蚀并不能有效地降低光损失。 同时由于碱和各晶面反应速度不一致，容易在晶粒之间形成台阶，不利于后续的印刷工艺。 机械刻槽、反