实验三-霍尔效应法测量半导体的载流子浓度、-电导率和迁移.docxVIP

实验三 -霍尔效应法测量半导体 的载流子浓度、-电导率和迁移 一、  实验三 霍尔效应法测量半导体的载流子浓度、 电导率和迁移率 实验目的 ．了解霍尔效应实验原理以及有关霍尔元件对 材料要求的知识。 ．学习用“对称测量法”消除副效应的影响，测 量并绘制试样的 VH－IS 和 VH－IM 曲线。 3．确定试样的导电类型、载流子浓度以及迁移 率。 二、  实验原理 霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在 磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转。当带电粒 子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏 转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负 电荷的聚积，从而形成附加的横向电场，即霍尔 电场。对于图（ 1）（a ）所示的 N 型半导体试 样，若在 X 方向的电极 D、E 上通以电流 Is， 在 Z 方向加磁场 B，试样中载流子（电子）将 受洛仑兹力： 其中 e 为载流子（电子）电量， V 为载流 子在电流方向上的平均定向漂移速率，B 为磁感 应  强  度 。 无论载流子是正电荷还是负电荷， Fg 的方 向均沿 Y 方向，在此力的作用下，载流子发生 便移，则在 Y 方向即试样 A、A′电极两侧就开 始聚积异号电荷而在试样 A、A′两侧产生一个电 位差 VH，形成相应的附加电场 E—霍尔电场， 相应的电压 VH 称为霍尔电压，电极 A、A′称 为霍尔电极。电场的指向取决于试样的导电类 型。 N 型半导体的多数载流子为电子， P 型半 导体的多数载流子为空穴。对 N 型试样，霍尔 电场逆 Y 方向， P 型试样则沿 Y 方向，有 显然，该电场是阻止载流子继续向侧面偏 移，试样中载流子将受一个与 Fg 方 向 相 反 的 横 向 电 场 力 ： 其中 EH 为霍尔电场强度。 FE 随电荷积累增多而增大，当达到稳恒状 态时，两个力平衡，即载流子所受的横向电场力 e EH 与洛仑兹力 eVB 相等，样品两侧电荷的积 累就达到平衡，故有 设试样的宽度为 b，厚度为 d，载流子浓度 为 n，则电流强度 V Is 与的 关系为 由（3）、（4）两式可得 即霍尔电压 VH（A、A′电极之间的电压） 与 IsB 乘积成正比与试样厚度 d 成反比。比例 系数称为霍尔系数，它是反映材料  霍尔 效应强弱的重要参数。根据霍尔效应制作的元件 称为霍尔元件。由式（ 5）可见，只要测出 VH （伏）以及知道 Is（安）、B（高斯）和 d（厘 米）可按下式计算 RH。 8???? 8 ?? ?? 上式中的 10 是由于磁感应强度 B 用电磁 单位（高斯）而其它各量均采用 C、G、S 实用 单位而引入。 注：磁感应强度 B 的大小与励磁电流 IM 的关系由制造厂家给定并标明在实验仪上。 霍尔元件就是利用上述霍尔效应制成的电 磁转换元件，对于成品的霍尔元件，其 RH 和 d 已知，因此在实际应用中式（ 5）常以如下形式 出现： ??  ?? = ?? ??  =  = ?? ?? ?? (7) ?? ?? ?? 1 称为霍尔元件灵敏度（其值由 ?????? 制造厂家给出），其中比例系数它表示该器件在 单位工作电流和单位磁感应强度下输出的霍尔 电压。Is 称为控制电流。（7）式中的单位取 Is 为 mA、B 为 KGS、VH 为 mV，则 KH 的单位为 mV/（mA·KGS）。 KH 越大，霍尔电压 VH 越大，霍尔效应越 明显。从应用上讲，KH 愈大愈好。 KH 与载流子浓度 n 成反比，半导体的载 流子浓度远比金属的载流子浓度小，因此用半导 体材料制成的霍尔元件，霍尔效应明显，灵敏度 ???? ?? ?? 较高，这也是一般霍尔元件不用金属导体而用半 导体制成的原因。另外， KH 还与 d 成反比， 因此霍尔元件一般都很薄。本实验所用的霍尔元 件就是用 N 型半导体硅单晶切薄片制成的。 由于霍尔效应的建立所需时间很短（约 10-12—10-14s），因此使用霍尔元件时 用直流电或交流电均可。只是使用交流电时，所 得的霍尔电压也是交变的，此时，式（7）中的 Is 和 VH 应理解为有效值。 根据 RH 可进一步确定以下参数 1．由 RH 的符号（或霍尔电压的正、负） 判断试样的导电类型 A￠ 判断的方法是按图（1）所示的 Is 和 B 的方向，若测得的 VH＝VAA＇＜0，（即点 A 的 电位低于点 A′的电位）则 RH 为负，样品属 N 型，反之则为 P 型。 2．由 RH 求载流子浓度 n 由比例系数 ??  =  1 ????  得?? = |??  1 ??  |??  。 应该指出，这个关系式是假定所有的载流子 都具有相同的漂移速率得到的， 严格一点，考虑载流子的漂移速率服从统计 ?? ?? 分布规律，需引入 3π/8 的修正因子（可参阅黄