IC工艺之离子注入-最新课件.pptVIP

IC工艺之离子注入;CMOS Structure with Doped Regions;Ion Implant in Process Flow;4.1. 离子注入原理 4.1.1. 物理原理(P.90-98) 通过改变高能离子的能量，控制注入离子在靶材料中的位置。 ;重离子在材料中与靶原子的碰撞是“弹性”库仑散射; 级联散射;Energy Loss of an Implanted Dopant Atom;能量损失： 散射路径R，靶材料密度?，阻止本领S;能量损失;注入离子的分布N（x）（无电子散射） 注入剂量?0（atom/cm-2），射程：Rp 标准偏差?Rp ; 对于无定型材料， 有： 为高斯分布 97页 图4.8 ;平均射程;Page 107;多能量、多剂量注入 ;4.1.2. 设备;Analyzing Magnet; 4.2. 沟道效应和卢瑟福背散射 6. 2. 1.沟道效应（page 101）;沟道峰;沟道效应的消除(临界角） ;4. 2. 2.卢瑟福背散射RBS-C 作用？。。。;4.3. 注入离子的激活与辐照损伤的消除 P.103~112 1）注入离子未处于替位位置 2）晶格原子被撞离格点