IC工艺技术引言和硅衬底-最新课件.pptVIP

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  • 2021-07-21 发布于上海
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双极集成电路工艺 接触孔光刻 N+ P+ P+ p N+ N+ 双极集成电路工艺 金属连线 N+ P+ P+ p N+ N+ 集成电路制造环境 超净厂房   无尘、恒温、恒湿 超净水 超净气体 常用气体(N2、O2、H2)纯度99.9999% 颗粒控制严 0.5/L 超净化学药品 纯度、颗粒控制 IC 制造环境(1) 净化级别和颗粒数 净化 级别     颗粒数/立方英尺 0.12um 0.2um 0.3um 0.5um 0.28 9.91 2.14 0.87 0.28 1 35 7.5 3 1 10 350 75 30 10 100 ---- 750 300 100 1000 ---- ---- ---- 1000 净化室 IC制造环境(2) 超纯水 极高的电阻率(导电离子很少) 18M? 无机颗粒数 5ppb (SiO2) 总有机碳(TOC) 20ppb 细菌数 0.1/ml IC制造环境(3) 超纯化学药品 DRAM 64k 256K 4M 64M 1G 线宽(um) 3.0 2.0 1.0 0.5 0.25 试剂纯度 10ppm 5ppm 100ppb 80ppb 10ppb 杂质颗粒 0.5u 0.2u 0.1u 0.05u 0.025u 颗粒

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