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浅谈电动汽车IGBT技术应用与发展 20世纪中期出现了功率器件，经过近30年的发展，MOS和BJT技术的结合催生出IGBT技术。IGBT经过不断更新，现已广泛应用于车辆、焊接、航天航空、国防等领域。本文介绍了IGBT的结构和工作原理，并对其在电动汽车领域的应用进行阐述，有助于从业者全面深入了解IGBT原理及其在电动汽车领域的技术发展。随着全球变暖和环境恶化加剧，为了缓解节能减排的压力，我国提出了高目标。为了实现节能减排的目标，我国大力扶持发展新能源汽车。电动汽车动力总成的核心能源转换单元式牵引逆变器，它可以将电池输出的直流电逆变为三相交流电。车辆在工作时频繁起停导致逆变器中的功率半导体器件需要承受各种冲击力。逆变器的功率密度和电动汽车的动力输出密切相关。车规级功率模块的功率半导体器件主要包括碳化硅基功率金属氧化物半导体场效应晶体管和绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。IGBT属于复合全控型电压驱动式功率半导体器件，它由双极型三极管、绝缘栅型场效应管两个部分构成，具有高输入阻抗和低导通压降等优点。电力晶体管的饱和压较低，载流密度大，但工作电流较大；金氧半场效晶体管工作功率小，通断速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT导通后的功耗很小，可以看作导线，断开时的电阻很大，可以看作开路，具有高压、大电流、高速三大特点，工作功率小饱和压降低，适用于直流电压为600 V及以上的变流系统