半导体器件物理复习题完整版.docx

kTEv 4 kT Ev 4 2m EF E h3 kT Ⅴ族元素） 。 Ⅲ族元素） 。 半导体器件物理复习题 一． 平衡半导体： 概念题： 1. 平衡半导体的特征（或称谓平衡半导体的定义） 所谓平衡半导体或处于热平衡状态的半导体， 是指无外界 （如电压、电场、磁场或温度梯度 等）作用影响的半导体。在这种情况下，材料的所有特性均与时间和温度无关。 2. 本征半导体： 本征半导体是不含杂质和无晶格缺陷的纯净半导体。 3. 受主（杂质）原子： 形成 P 型半导体材料而掺入本征半导体中的杂质原子（一般为元素周期表中的 4. 施主（杂质）原子： 形成 N 型半导体材料而掺入本征半导体中的杂质原子（一般为元素周期表中的 5. 杂质补偿半导体： 半导体中同一区域既含受主杂质又含施主杂质的半导体。 6. 兼并半导体： 对 N 型掺杂的半导体而言，电子浓度大于导带的有效状态密度， 费米能级高于导带底 （ EF Ec 0）； 对 P 型掺杂的半导体而言， 状态密度。费米能级低于价带顶（ E F Ev 0）。 7. 有效状态密度： 在导带能量范围（ Ec ~ ）内，对导带量子态密度函数 gc E 电 子 玻 尔 兹 曼 分 布 函 数 fF E exp E EF E EF n0 Ec 4 2m h3 3/2 kT kT E Ec exp E EF dE ）得到的 Nc 电子的有效状态密度。 在价带能量范围 （ ~ Ev ）内， 对价带量子态密度函数 gv E 空 穴 玻 尔 兹 曼 函 数 fF E exp EF E 的 乘 3/2 p0 Ev E exp dE ）得到的 Nv 穴的有效状态密度。 8. 以导带底能量 Ec 为参考，导带中的平衡电子浓度： 空穴浓度大于价带的有效 4 2m 4 2mn h 3 3/2 E Ec 与 乘 积 进 行 积 分 （ 即 3 2 2 mkT 2 称谓导带中 h2 h4 2m h 3 E3/2 E v E 与 积 进 行 积 分 （ 即 2 2 m kT h2 3 2 称谓价带空 2E300K 2 E 300K 时， ni 10 3 n0 N c exp Ec EF 其含义是：导带中的平衡电子浓度等于导带中的有效状态密度乘 kT 以能量为导带低能量时的玻尔兹曼分布函数。 9. 以价带顶能量 Ev 为参考，价带中的平衡空穴浓度： p0 Nv exp E F Ev 其含义是：价带中的平衡空穴浓度等于价带中的有效状态密度乘 kT 以能量为价带顶能量时的玻尔兹曼分布函数。 10. 导带量子态密度函数 11. 价带量子态密度函数 gc Egv E gc E gv E h h 3 4 2m 3 12. 导带中电子的有效状态密度 Nc 2 2 13. 价带中空穴的有效状态密度 Nv 2 3/2 E Ec 3/2 v E 3 mkT 2 h2 mkT h2 3 2 ？ 14. 本征费米能级 EFi ： 是 本 征 半 导 体 的 费 米 能 级 ； 本 征 半 导 体 费 米 能 级 的 位 置 位 于 禁 带 中 央 附 近 ， 2 Ec 4 mEFi 1 Ev 3 kT 2 Ec