离子束抛光石英玻璃显微结构分析.pdfVIP

离子束抛光玻璃微观结构分析 陈美艳 沈丽如 核工业西南物理研究院 一 、概述 及 背 景 ： 研 究背景 ：光 学器 件及 微 电子 器 件 的粗 糙 表面 会 引起信 号 的 散射 。超 光 滑 表 面加 工 极大 的推 动 了光 学加工 技 术 的发 展 。 原子量级去除 抛光 过程 ：高 能 离子 物 理溅 射 优 点 ：离 子 束 抛光 具有 良好 的各 向异 性 ，对器 件 低 损伤 和 可 控性 好等 特 点 ，使之 成 为制 作 高质量 表 面 的理 想手 段 主要 影 响参 数 ： 离 子 能 量 、 离 子 束 流 密 度 、离 子 束 入射 角 、抛 光 时 间 、 样 品与离 子 源 距 离 表 面 粗 糙 度 表 征 ： 表 面 粗 糙 度 通 常 用 均 方 根 （root-mean-square rms）表 示 （1）轮 廓 仪 测 试过 程 中用 表 面 粗糙 度 高度参 数 Rq 表 征 ： n 2 Rq ＝ ( Ni N 0 ) （1） i 240 360－1 N ：相对 零 点高度 ，N 平均 高度 ； i 0 (2) A FM 测 试过 程 中 Rrms 的定 义为 ： 1/2 2 Z (2) R ={ 1/ N * 1/ N * ∑∑ ij } rms x y (2 ) 表 面 波 度 表 征 ： 高 分 辨 率 激 光 轮 廓 仪 检 测 过 程 中不 进 行 滤 波 ， 能 真 实 反 映 包 括 波 度 在 内 的 样 品 表 面 形 貌 石英 ：400 eV 0.75mA / cm2 35° 图 2 中 的横 向间 隔 约 30nm 的大 而 浅 痕迹 离子 束抛 光 法 去 除 比较 困 图2 离子束抛光 2 h后样品 AFM 图1离子束抛光前样品 AFM 0 .5 nmRMS 5~ 10 nmRMS 难 石英 ：400 eV 0.75mA / cm2 35° 图 2 中的横 向间隔约30nm的大 而浅 痕迹 离子束抛 光法 去 除 比较 困难 二、结果讨论： （1）先用高能量和大束流（ 800eV/100mA/60 °）的离子束 对样品抛光再用低能量小束流 (400eV/80mA/ 60°) 离子束对 样品抛光后得到的样品表面粗糙度最为理想 (0.3nm rms) 。 (2)通过实验和模拟总结出 40 °到 60 °之间入射角抛光 效果最佳而在接近平行入射时基本上起不到抛光效果。 800eV 100mA 60 °5h