高压电缆敷设与电缆头制作安装施工工艺标准.docxVIP

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  • 2021-08-06 发布于天津
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高压电缆敷设与电缆头制作安装施工工艺标准.docx

高压电纟览敷设高压电缆头制作高压电缆试验 高压电纟 览敷设 高压电缆头制作 高压电缆试验 高压电缆头固定 图1施工流程图 高压电缆敷设及电缆头制作安装施工工艺 适用围 6?35kV交联聚乙烯绝缘高压电缆敷设和电缆头制作。 施工流程 施工流程图见图1。 工艺流程说明及主要质量控制要点 3.1施工准备 材料准备:①测量电缆实际长度,并留有一定裕度的情况 下进行提料,同时考虑电缆的长度是否超过生产厂家单根最长生 产长度; ②高压电缆提料时,要求对电缆的规格、型号及技术 参数等要说明详细,且符合设计要求; ③电缆终端和电缆中间 接头的选用同样要求提供型号、 使用的电缆规格等详细参数, 目 前对于35kV及以下的电力电缆终端一般有热缩型、预置型和冷 缩型三种; ④选用的电缆终端和电缆接头应包括线鼻子(对接 管)、接地材料、绝缘材料、填充用料等各类附件; ③材料到达 现场后应具有合格证、 说明书等资料,同时检查外观良好、 附件 齐全,且符合设计和提料的要求; ⑥电缆的端部应有可靠地防潮措施。 (2 )技术准备:核对施工图,确认电缆沟支架、电缆管等敷设通道符合电缆敷设的要求, 熟悉电缆终端的安装说明书。 人员组织:技术人员,安全,质量负责人,电缆头制作专业工种人员和安装人员。 机具准备:压线钳,电缆外护套、绝缘层剥切工具,半导体剥切工具,电烙铁,加热 设备,电缆敷设用放线滑车、卷扬机、吊车等。 3.2高压电缆敷设 电缆敷设前检查电缆敷设通道符合设计及规要求,电缆支架的间距、电缆管的管径、 电缆管的弯曲半径、电缆管长度、接地等符合设计及规要求,清除电缆管异物。 电缆较短时可以直接采用人工敷设; 当电缆长度较长需要采用机械敷设时, 应将电缆 放在滑车上拖拽,牵引端应采用专用的拉线网套或牵引头, 牵引强度不得大于规要求, 必要 时应在牵引端设置防捻器。 电缆敷设时,电缆盘处、滑车之间等各个部位应尽可能减少电缆碰地的机会,以免损 伤电缆外护套。电缆上不得有铠装压扁、电缆绞拧等永久性机械损伤。 电缆在拐弯处的最小弯曲半径应规要求。 对于交联聚乙烯绝缘电力电缆, 其最小弯曲 半径单芯为直径的 20倍、多芯为直径的15倍。 (5 )当电缆采用直埋敷设时,电缆表面距地面的距离不应小于 0.7m,所外区域不得小于 1m且电缆的上、下部应铺以不小于 100mm厚的软土或沙层(软土或沙层中不能有石块或其 他硬质杂物),并加盖保护板,其覆盖宽度应超过电缆两侧个 50mm保护板可采用混凝土盖 板或砖块。 电缆终端和接头处应留有一定的备用长度; 电缆接头处应相互错开, 电缆敷设整齐不 宜交叉,单芯的三相电缆宜放置成“品”字型。 在电缆终端头、接头、拐弯处、竖井口等地方,应挂电缆标牌;直埋电缆每隔 50, 100mm处、电缆接头、拐弯处等部位应设置明显的标志。 电缆的固定间距符合规要求, 单芯电缆或分相后的各相终端的固定不应形成闭合的铁 磁回路。固定处应加装符合规要求的衬垫。 电缆敷设后,电缆头 应悬空放置,并应及时制作电 缆终端,如不能及时制作电缆 终端,电缆头必须采取措施进 行密圭封防止受潮。 3.3电缆头制作(参见图2?4) 交联聚乙烯电力电缆的 电缆终端有三种形式:预制、 热缩、冷缩。不论采用何种终 端方式,都应严格按照电缆附 件厂家的要求制作电缆终端。 根据电缆终端和电缆的 固定方式,确定电缆头的制作 位置,剖开电缆外护套。破除 过程中用力适当,不得损伤层 屏蔽和绝缘层。对于多芯的电 力电缆,应能使电缆头固定 后,对其各相弧度保持一致, 过渡自然;单芯电缆头高度一 致,弧度一致。 (3 )在制作电缆头时,应将 钢带和铜带屏蔽层分开接地, 并有标识,接地线与钢带和铜 带采用焊接或电缆终端附件 中自带的弹簧卡圈进行连接; 接地线应采用镀锡编织带,压 接编织带的铜鼻子应搪锡。 图2电缆钢带接地引接(4 图2电缆钢带接地引接 用电缆的填充料),确保电缆头的分支护套密实。分支护套应尽可能向电缆头根部拉近,然 后方可进行热缩(或冷缩)。钢带在电缆头处切断,接地线从分支护套下部引出。屏蔽层视 接线位置至电缆头之间的长度而定,对已三芯电缆一般均在分支护套上部。 为了保证多芯电缆的三相过度自然、弧度一致,需增加延长护管。分支护套、延长 护管及电缆终端等在热缩(或冷缩)后应与电缆借出紧密,不能有褶皱或破损现象。 图3电缆分支护套制作 图4电缆芯线剥制 (6) 多段护套搭接时,上部的绝缘管应套在下部绝缘管的外部, 搭接长度符合厂家说明书 的要求。 (7) 根据接线端子的位置和应力管的长度,确定延长护管的长度,在延长护管上部,根据 说明书的要求剥除屏蔽层,剩余的长度符合说明书的要求,然后制作铜带接地。 (8) 利用剥刀或玻璃等将铜带上部的外半导体层剥除, 铜带上部的半

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