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第一篇 习题 半导体中的电子状态 1-1、 什么叫本征激发？温度越高，本征激发的载流子越多，为何？试定性说明之。 1-2、 试定性说明 Ge、Si 的禁带宽度拥有负温度系数的原由。 1-3、 试指出空穴的主要特色。 1-4、简述 Ge、Si 和 GaAS的能带构造的主要特色。 1-5、某一维晶体的电子能带为 E(k ) E0 1 0.1cos(ka) 0.3sin(ka) 此中 E0 ，晶格常数 х -11 。求： =3eV a=5 10 m （1） 能带宽度； （2） 能带底和能带顶的有效质量。 第一篇  题解 刘诺  半导体中的电子状态 编 1-1、 解：在必定温度下，价带电子获取足够的能量（≥ Eg）被激发到导带成为 导电电子的过程就是本征激发。其结果是在半导体中出现成对的电子 -空穴对。 假如温度高升，则禁带宽度变窄，跃迁所需的能量变小，将会有更多的电子被激发到导带中。 1-2、 解：电子的共有化运动致使孤立原子的能级形成能带，即允带和禁带。温度高升，则电子的共有化运动加剧，致使允带进一步分裂、变宽；允 带变宽，则致使允带与允带之间的禁带相对变窄。反之，温度降低，将致使禁带变宽。 所以， Ge、Si 的禁带宽度拥有负温度系数。 1-3、 解： 空穴是未被电子占有的空量子态，被用来描绘半满带中的大批电子的集体运动状态，是准粒子。主要特色以下： A、荷正电： +q； B、空穴浓度表示为 p（电子浓度表示为 n）； C、 EP=-En D、mP*=-m n* 。 1-4、 解： （1） Ge、Si: a）Eg (Si：；Eg (Ge：； b）间接能隙构造 c）禁带宽度 Eg 随温度增添而减小； （2） GaAs： a）Eg（ 300K） 第二篇 习题 -半导体中的杂质和缺点能级 刘诺 编 2-1、什么叫浅能级杂质？它们电离后有何特色？ 2-2、什么叫施主？什么叫施主电离？施主电离前后有何特色？试举例说明之， 并用能带图表征出 n 型半导体。 2-3、什么叫受主？什么叫受主电离？受主电离前后有何特色？试举例说明之， 并用能带图表征出 p 型半导体。 2-4、混杂半导体与本征半导体之间有何差别？试举例说明混杂对半导体的导电 性能的影响。 2-5、两性杂质和其余杂质有何异同？ 2-6、深能级杂质和浅能级杂质对半导体有何影响？ 2-7、何谓杂质赔偿？杂质赔偿的意义安在？ 第二篇 题解 半导体中的杂质与缺点能级 刘诺 编 2-1、解：浅能级杂质是指其杂质电离能远小于本征半导体的禁带宽度的杂质。它们电离后将成为带正电（电离施主）或带负电（电离受主）的离子，并同时导游带供给电子或向价带供给空穴。 2-2、解：半导体中掺入施主杂质后，施主电离后将成为带正电离子，并同时导游带供给电子，这类杂质就叫施主。 施主电离成为带正电离子（中心）的过程就叫施主电离。 施主电离前不带电， 电离后带正电。 比如，在 Si 中掺 P，P 为Ⅴ族元素，本征半导体 Si 为Ⅳ族元素， P 掺入 Si 中后， P 的最外层电子有四个与 Si 的最外层四个电子配对成为共价电子，而 P 的第五个外层电子将遇到热激发摆脱原子实的约束进入导带成为自由电子。这个过程就是施主电离。 型半导体的能带图以下图：其费米能级位于禁带上方 2-3、解：半导体中掺入受主杂质后，受主电离后将成为带负电的离子，并同时 向价带供给空穴，这类杂质就叫受主。 受主电离成为带负电的离子（中心）的过程就叫受主电离。 受主电离前带不带电，电离后带负电。 比如，在 Si 中掺 B，B 为Ⅲ族元素，而本征半导体 Si 为Ⅳ族元素， P 掺入 B 中后， B 的最外层三个电子与 Si 的最外层四个电子配对成为共价电子， B 偏向于接受一个由价带热激发的电子。这个过程就是受主电离。 p 型半导体的能带图以下图：其费米能级位于禁带下方 2-4、解：在纯净的半导体中掺入杂质后，能够控制半导体的导电特征。混杂半 导体又分为 n 型半导体和 p 型半导体。 比如，在常温状况下，本征 Si 中的电子浓度和空穴浓度均为 ╳1010cm-3。 当在 Si 中掺入╳1016 -3 后，半导体中的电子浓度将变成 ╳ 16-3，而 cm 10 cm 空穴浓度快要似为 ╳104cm-3。半导体中的多半载流子是电子，而少量载流 子是空穴。 2-5、解：两性杂质是指在半导体中既可作施主又可作受主的杂质。如Ⅲ -Ⅴ族 GaAs中掺Ⅳ族 Si。假如 Si 替位Ⅲ族 As，则 Si 为施主；假如 Si 替位Ⅴ族 Ga，则 Si 为受主。所掺入的杂质详细是起施主仍是受主与工艺相关。 2-6、解：深能级杂质在半导体中起复合中心或圈套的作用。 浅能级杂质在半导体中起施主或受主的作用。 2-7、当半导体中既有施主又有受主时