半导体光刻胶市场总规模分析.docx

半导体光刻胶市场总规模分析 ? ? 一、概况 ? ? 半导体材料处于整个产业链的上游环节, 对半导体产业起着重要的支撑作用, 半导体材料可分为晶圆制造材料和封装材料, 2018年全球半导体材料销售额达到519亿美元, 其中晶圆制造材料和封装材料分别占62%和38%. 封装材料技术壁垒较低, 高技术壁垒的晶圆制造材料是核心, 大体可分为：硅片, 光掩膜, 光刻胶, 湿电子化学品（主要是高纯试剂和光刻胶辅助材料）, CMP抛光材料（主要是抛光垫和抛光液）, 靶材, 电子特种气体以及其他. ? ? 光刻胶作为光刻过程的核心材料, 其质量和性能直接决定集成电路的性能、良率. 伴随着先进节点所需光刻胶分辨率的提升以及多次图形化技术的应用, 光刻胶的成本占比以及市场规模呈现不断提升趋势, 2018年光刻胶占晶圆制造材料比例约为5.4%, 对应全球半导体光刻胶市场总规模为17.3亿美元, 预计2019年市场规模可达17.7亿元. ? ? 全球半导体晶圆制造材料市场占比 ? ? 光刻胶是微电子工艺制造中的关键材料, 其技术原理是利用光化学反应经光刻工艺将所需要的微细图形从掩模版转移到待加工基片上的图形转移介质, 由成膜剂、光敏剂、溶剂和添加剂等主要化学品成分和其他助剂组成. 在光刻工艺中, 光刻胶被均匀涂布在硅片、玻璃和金属等不同的衬底上, 经曝光、显影和蚀刻等工序将掩膜版上的图形转移到薄膜上, 形成与掩膜版完全对应的几何图形. ? ? 负型光刻胶：负胶在经过曝光后, 受到光照的部分变得不易溶解, 留下光照部分形成图形. 胶是最早被应用在光刻工艺上的光刻胶类型, 它拥有工艺成本低、产量高等优点. 但是负胶在吸收显影液后会膨胀, 这会导致其分辨率不如正胶. 因此负胶经常会被用于分立器件和中小规模集成电路等分辨率不太高的电路的制作中. ? ? 正型光刻胶：正胶在经过曝光后, 受到光照的部分将会变得容易溶解, 只留下未受到光照的部分形成图形；大规模集成电路、超大规模集成电路以及对感光灵敏度要求更高的集成电路（亚微米甚至更小尺寸的加工技术）的制作, 通常会选用正胶来完成图形的转移. ? ? 二、发展趋势 ? ? 半导体光刻胶随着市场对半导体产品小型化、功能多样化的要求, 而不断通过缩短曝光波长提高极限分辨率, 从而达到集成电路更高密度的集积. 随着IC集成度的提高, 世界集成电路的制程工艺水平按已由微米级、亚微米级、深亚微米级进入到纳米级阶段. 为适应集成电路线宽不断缩小的要求, 光刻机的波长由紫外宽谱向ｇ线(436nm)→ｉ线(365nm)→KrF(248nm)→ArF(193nm)→F2、EUV（157nm）的方向转移. ? ? 对应不同的光刻技术需要配套相应分辨率的光刻胶, 目前半导体市场上主要使用的光刻胶包括g线、i线、KrF、ArF四类光刻胶. 同时伴随着下游晶圆代工厂商不断布局先进工艺节点, 由于正性（湿）ArF光刻胶结合分辨率增强技术可用于32nm/28nm工艺, 采用多次图形技术, 可以实现20/14nm工艺（线宽均匀度（LWR）2.5nm）,而EUV光刻胶搭配EUV光刻机成为下一代光刻技术的未来主流选择, 预计未来7nm、3nm等先进节点将应用EUV光刻胶. 因此未来伴随着工艺的进步对于ArF、EUV类型的光刻胶需求将会进一步提升. ? ? 不同种类光刻胶对应集成电路尺寸介绍 具体类别 曝光波长 对应集成电路尺寸 晶圆尺寸 g线 436mm 制程0.5um以上芯片 6英寸 i线 365mm 制程0.5-0.35um以上芯片 6英寸 KrF 248mm 制程0.25-0.15um以上芯片 8英寸 ArF 193mm 制程65-130nm以上芯片 12英寸 EUV 134mm 制程32nm以下芯片 12英寸以上 ? ? 1、需求端 ? ? 在国家集成电路产业发展推动纲要的推动下, 2014年国家集成电路产业投资基金（简称“大基金”）正式成立, 2015年大基金全产业链投资扶持中国集成电路产业, 投资领域资金占比以半导体晶圆代工企业为主, 国内晶圆代工企业建厂投资额快速提升. 同时在降低关税、低人力成本, 靠近旺盛大陆客户的需求下, 外资企业也不断向大陆建设晶圆代工厂, 推动中国晶圆代工的上游半导体设备、微电子化学品需求快速提升. ? ? 行业内晶圆厂从动工到量产通常需要1年半到2年时间, 设备采购在投产前1年左右开始, 且大部分采购在投产前后一年完成. 而微电子化学品则不同, 光刻胶等微电子化学品直接用于实际生产过程中, 同时由于采购相对迅速, 因此相比于半导体设备市场空间打开相对滞后一年, 预计2019-2020年为国内微 ? ? 电子化学品快速成长的高峰期. 2003-2022年晶圆厂设备投资规模及测算（亿元）