5模拟电子技术第五章场效应管及其放大电路.pptxVIP

5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管;P沟道;5.1.1 N沟道增强型MOSFET;5.1.1 N沟道增强型MOSFET;二、 工作原理; 把开始形成反型层的VGS值称为该管的开启电压VT。这时，若在漏源间加电压 VDS，就能产生漏极电流 I D，即管子开启。 VGS值越大，沟道内自由电子越多，沟道电阻越小，在同样 VDS 电压作用下， I D 越大。这样，就实现了输入电压 VGS 对输出电流 I D 的控制。 ;②漏源电压VDS对沟道导电能力的影响; 当VDS为0或较小时，VGD＞VT，此时VDS 基本均匀降落在沟道中，沟道呈斜线分布。;可变电阻区(resistive region) —— 饱和区 恒流区（constant current region）——放大区 夹断区（cutoff rigion） ——截止区;①可变电阻区：;① vGS VT 时， iD = 0； ② vGS ≥ VT时， iD随vGS增大而增大。;; 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET;二、工作原理;(1. 输出特性 2. 转移特性); 5.1.3 P沟道MOSFET; 5.1.4 沟道长度调制效应;绝 缘 栅 场 效 应 管;绝缘栅场效应管;5.1.5 MOSFET的主要参数;二、交流参数;三、极限参数;5.2 MOSFET放大电路;1 简单的共源极放大电路;例题: 电路如图所示，设Rg1=60kΩ，Rg2=40kΩ，Rd=15kΩ，VDD=5V，VT=1V，Kn=0.2mA/V2。试计算电路的静态漏极电流IDQ和漏源电压VDSQ。;2 带源极电阻的NMOS共源极放大电路;例题: 电路如图所示，设VT=1V，Kn=500μA/V2，VDD=5V，-VSS=-5V， Rd=10kΩ， R=0.5kΩ， ID=0.5mA。若流过Rg1 和Rg2的电流是ID的1/10，试确定Rg1和Rg2的值。;例题: 电路如图所示，由电流源提供偏置（可由其它MOS管构成）。设NMOS管的参数为Kn=160μA/V2， VT=1V， VDD=VSS=5V，IDQ=0.25mA， VDQ=2.5V。试求电路参数。;二、小信号模型;例题5.2.4: 电路如图所示，设VDD=5V， Rd=3.9kΩ， VGS=2V， VT=1V，Kn=0.8mA/V2，λ=0.02V-1。试当管工作在饱和区时，试确定电路的小信号电压增益。;例题5.2.5: 电路如图所示，设Rg1=150kΩ，Rg2=47kΩ，VT=1V，Kn=500μA/V2，λ=0，VDD=5V，-VSS=-5V， Rd=10kΩ， R=0.5kΩ， Rs=4kΩ。求电路的电压增益和源电压增益、输入电阻和输出电阻。;例题: 电路如图所示，耦合电容对信号频率可视为交流短路，场效应管工作在饱和区，rds很大，可忽略。试画出小信号等效电路，求出输入电阻、小信号电压增益、源电压小信号增益和输出电阻。;;3. MOSFET 三种基本放大电路比较(p.221);5.3 结型场效应管;5.3.1 JFET的结构和工作原理;①栅源电压VGS对iD的控制作用;②漏源电压VDS对iD的影响;综上分析可知;5.3.2 JFET的特性曲线及参数;漏极输出特性;5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法;二、分压器式自偏压电路（共源极电路）;输出电阻;例题：在图示电路中,已知Rg1= 2MΩ，Rg2=47kΩ，Rg3=10MΩ ，Rd=30kΩ， R=2kΩ， VDD=18V， VP=-1V， IDSS=0.5mA，且λ=0，试确定Q。; 共漏极放大电路如图示。试求中频电压增益、输入电阻和输出电阻。;（4）输出电阻; 解：;5.5 各种放大器件性能比较;;;结型场效应管;绝 缘 栅 场 效 应 管;绝缘栅场效应管;结型场效应管的特性小结;9、有时候读书是一种巧妙地避开思考的方法。8月-218月-21Sunday, August 8, 2021 10、阅读一切好书如同和过去最杰出的人谈话。01:10:0501:10:0501:108/8/2021 1:10:05 AM 11、越是没有本领的就越加自命不凡。8月-2101:10:0501:10Aug-2108-Aug-21 12、越是无能的人，越喜欢挑剔别人的错儿。01:10:0501:10:0501:10Sunday, August 8, 2021 13、知人者智，自知者明。胜人者有力，自胜者强。8月-218月-2101:10:0501:10:05August 8, 2021 14、意志坚强的