《集成电子技术基础教程》（第2版）课件 1篇_2章3.pptVIP

1.2.5 场效应三极管 ;●绝缘栅型IGFET（Insulted Gate Type） (或MOS) Metal-Oxide-Semiconductor;一、绝缘栅场效应管（IGFET）;增强型PMOS管;NMOS管的工作原理;②vGS＞0，vDS=0时：; 开始形成导电沟道所需的最小电压称为开启电压VGS(th)(习惯上常表示为VT)。 ; 在此电压极性下，在栅极与衬底间产生一个垂直向下电场，它使漏-源之间的P型硅表面感应出电子层(反型层) 。; 另外还将P区的少子电子吸引到SiO2层下面。同时该电场排斥空穴向衬底方向运动，使感应的电子层和衬底间形成了耗尽层。最终将两个N+间形成电子型的导电沟道。; 当vGS＝0时没有导电沟道，而当vGS增强到＞VT时才形成沟道，所以称为增强型MOS管。并且vGS越大，感应电子层越厚，导电沟道越宽，等效沟道电阻越小，iD越大。;当VGS?VT，VDS?0后，?漏-源电压vDS产生横向电场：由于沟道电阻的存在，iD沿沟道方向所产生的电压降使沟道上的电场产生不均匀分布。近s端电压差较高，为vGS；近d端电压差较低，为vGD＝vGS-vDS，所以沟道的形状呈楔形分布。;●当vDS较小时：vDS对导电沟道的影响不大，沟道主要受vGS控制， 所以vGS为定值时，沟道电阻保持不变，iD随vDS 增加而线性增加。 ;●当vDS增加到vGS-vDS＝VT时（即vDS＝vGS-VT）：栅漏电压为开启电压时，漏极端的感应层消失，沟道被夹断，称为“预夹断”。 ; ●当vDS再增加时（即vDS＞vGS-VT或vGD=vGS-vDS?VT）：iD将不再增加而基本保持不变。因为vDS再增加时，近漏端上的预夹断点向s极延伸，使vDS的增加部分降落在预夹断区，以维持iD的大小。 ;;IDO是vGS=2VT时的漏极电流。; 表示漏极电流iD与漏-源电压vDS之间的关系;●可变电阻区; 此时管子导电，但沟道尚未预夹断。; 在可变电阻区iD仅受vGS的控制，而且随vDS增大而线性增大。可模拟为受vGS控制的压控电阻RDS。;又称恒流区、饱和区。; 特征是iD主要受vGS控制，与vDS几乎无关，表现为较好的恒流特性。;▲夹断区;耗尽型NMOS管;●vGS=0，靠正离子作用，使P型衬底表面感应出N型反型层，将两个N+区连通，形成原始的N型导电沟道。;●外加负栅压(vGS＜0)时，沟道变薄，沟道电阻增大，iD减小。;耗尽型NMOS的伏安特性 ;放大区的电流方程：; 在N区两侧扩散两个P＋区???形成两个PN结。 ;P沟道;●vGS＝0时，N型棒体导电沟道最宽（N型区）。有了VDS后，沟道中的电流最大。;●vGS＜0时，耗尽层加宽（主要向沟道一测加宽），并向沟道中间延伸，沟道变窄。;; 当vGS＜VP（称为夹断电压）时，两个耗尽层增大到相遇，沟道消失，这时称沟道夹断，沟道中的载流子被耗尽。若有VDS电压时，沟道电流也为零。; 所以属于耗尽型FET，原理和特性与耗尽型MOSFET相似。所不同的是JFET正常工作时，两个PN结必须反偏，如对N沟道JFET，要求vGS≤0。; 加上负VGS电压和VDS电压以后，VGD的负压比VGS大，所以，两个反偏PN结的空间电荷区变得上宽下窄，使沟道形成楔形。 ; MOSFET主要通过改变衬底表层沟道的厚度来控制iD，称为表面场效应器件。;JFET的伏安特性（以N沟道JFET为例）;三、场效应管的主要参数;交流参数;极限参数;不同类型FET对电压的极性要求;耗尽型跨导：;1.2.6 集成电路中的电子器件 ;集成电路特点：;一、复合管(达林顿管);复合管连接原则;NPN＋PNP;二、多集电极管与多发射极管;多集电极管构成镜像电流源; 多发射极管;三、肖特基三极管; 三极管未饱和时，Jc反偏，SBD截止，对电路没影响；当三极管进入饱和时， Jc正偏，SBD导通，使集电极正向偏压被箝位在V，限制管子的饱和深度，同时又使三极管基极电流减小。;习 题 P93