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阜阳师范学院-计算机与信息工程学院
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模拟电子线路随堂练习第一章 半导体器件
作业 1-1
一、习题(满分 100 分)
1.N 型半导体带负电, P 型半导体带正电。 ( )
以空穴为主要导电方式的半导体称为 P 型半导体。( )
PN 结处于正向偏置时,正向电流小,电阻大,处于导通状态。 ( )
晶体二极管的反向电压上升到一定值时,反向电流剧增,二极管被击穿,就不能再使用了。 ( )
硅二极管两端只要加上正向电压时立即导通。 ( )
在本征半导体中,空穴和自由电子两种载流子的数量不相等。 (
)
晶体三极管的基极,集电极,发射极都不可互换使用。 ( )
晶体三极管工作在饱和状态的条件是:发射结正偏,集电结正偏。
(
)
9.晶体三极管有三种工作状态,即:放大状态,饱和状态,导通状态。
(
)
三极管是一种电压控制器件,场效应管是一种电流控制器件。 ( )
温度升高后,在纯净的半导体中( )。
A. 自由电子和空穴数目都增多,且增量相同 B.空穴增多,自由电子数目不变
C.自由电子增多,空穴不变 D.自由电子和空穴数目都不变12.如果 PN 结反向电压的数值增大(小于击穿电压) ,则( )。
A. 阻当层不变,反向电流基本不变 B.阻当层变厚,反向电流基本不变
C.阻当层变窄,反向电流增大 D.阻当层变厚,反向电流减小
作业
作业 1-2
一、习题(满分 100 分)
型半导体(
A. 带正电
)。
B.带负电
C .呈中性
2.如果二极管的正反向电阻都很大,则该二极管(
D .不确定
)。
A. 正常
B.断路
C .被击穿
对于晶体二极管,下列说法正确的是(
A. 正向偏置时导通,反向偏置时截止
C.反向击穿后立即烧毁
D .短路
)。
B. 反向偏置时无电流流过二极管
D. 导通时可等效为一线性电阻
4.工作在放大状态的三极管两个电极电流如图,那么,第三个电极的电流大小、方向和管脚自左至右顺序分别
为( )。
A.0.03mA
流出三极管
流出三极管
e、c、b
c、e、b
B.0.03mA
流进三极管
C.0.03mA
D.0.03mA
流进三极管
e、 c、b
c、 e、b
5.测得电路中晶体三极管各电极相对于地的电位如图,从而可判断该晶体管工作在(
)。
A. 饱和状态
B.放大状态
C.倒置状态
6.PNP 型晶体管工作在放大状态,三个极电位的关系是(
D .截止状态
)。
A.V CV BV E
B. V C V E V B
C.V E V B V C
D .V E V CV B
PNP 型硅管工作在放大状态,各极对地电位分别是 V 1=6V ,V 2=2.7V , V 3=2V ,则 1,2, 3 分别为( )。
A. 发射极、基极、集电极 B.集电极、基极、发射极
C.集电极、发射极、基极 D. 基极、集电极、发射极
测得三极管 ib=30 μA时 i c=2.4mA ,而 i b=40 μA时 ic=3mA ,则该管的交流电流放大系数 β为( )。
A.60 B.75 C.80 D .100
NPN 型硅管各极对地电位分别是 V 1=6V , V2=2.7V , V 3=2V ,则 1, 2, 3 分别为( )。
A. 基极、集电极、发射极 B.发射极、基极、集电极
C.集电极、发射极、基极 D. 集电极、基极、发射极
三极管输出特性曲线可分为三个区,下列不属于工作区的是( )。
A. 截止区 B.放大区 C.饱和区 D .击穿区
在放大电压信号时,通常希望放大电路的输入电阻和输出电阻分别为( )
A. 输入电阻小,输出电阻大
B.
输入电阻小,输出电阻小
C. 输入电阻大,输出电阻小
D.
输入电阻大,输出电阻大
作业 1-3
一、习题(满分 100 分)
以下属于半导体的是( )。
A. 锗 B. 塑料 C .铜 D .云母
型半导体中的多数载流子是( )。
A. 负电荷 B. 自由电子 C .正电荷 D .空穴
将 PN 结 P 区接电源负极, N 区接电源正极,此时 PN 结处于( )偏置。
A. 正向 B. 双向 C .单向 D.反向
将 PN 结两端加反向电压时,在 PN 结内参与导电的是( )。
A. 空穴 B.自由电子 C .自由电荷 D.空穴和自由电子
由理想二极管组成的电路如图所示,其 A 、B 两端的电压为( )。
A.+6V B.-6V C . -18V D .+18V
在半导体材料中,其说法正确的是( )。
A.P 型半导体和 N 型半导体材料本身不带电
B.P 型半导体中,由于多数载流子为空穴,所以它带正电
C.N 型半导体中,由于多数载流子为自由电子,所以它带负电
D.N 型半导体中,由于多数载流子为
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