MEMS湿法腐蚀工艺和过程要点.pdfVIP

1 第 8章 MEMS湿法腐蚀工艺和过程 David W. Burns 摘要： 通过光刻胶或硬掩膜窗口进行的湿法化学腐蚀在 MEMS器件制造的许多工艺过程中大量存在。本章 针对 400多种衬底和淀积薄膜的组合介绍了 800多种湿法腐蚀配方 , 着重介绍了在大学和工业界超净间中 常见的实验室用化学品。 另外给出了 600多个有关选择或开发制造 MEMS器件的新配方的文献。 也给出了近 40个内部整合的材料和腐蚀特性的图表，方便读者迅速寻找和比较这些配方。有关目标材料和腐蚀特性 的缩略语为方便比较都进行了统一。 腐蚀速率和对其他材料的腐蚀选择性也给出了。 除了重点讨论在 MEMS 领域常用的硅和其他常用材料外， III-V 化合物半导体和更新的材料也有涉及。 本章讨论主题涉及湿法腐蚀原理与过程；整合湿法腐蚀步骤的工艺方法；湿法腐蚀过程的评估和开发及 侧重安全的设备和向 代工厂转移的预期 ；氧化物，氮化物，硅，多晶硅，和锗各向同性腐蚀；标准金属 腐蚀；非标准绝缘介质，半导体和金属腐蚀；光刻胶去除和硅片清洗步骤；硅化物腐蚀；塑料和聚合物 刻蚀；硅各向异性刻腐蚀，体硅和锗硅自停止腐蚀；电化学腐蚀和自停止；光助腐蚀和自停止；薄膜自 停止腐蚀；牺牲层去除；多孔硅形成； 用于失效分析的层显 ；缺陷判定；针对湿法化学腐蚀的工艺和过 程，给出了几个实际的案例 。对器件设计人员和工艺研发人员，本章提供了一个实际和有价值的指导， 以选择或发展一个对许多类型 MEMS和集成 MEMS器件的腐蚀。 D．W ．Burns Burns Engineering, San Jose, CA, USA e-mail:dwburns@pacbell.net 8.1 引言 很少有微机械化或集成化的器件是在没有进行一些湿法化学处理的情况下开发或制造的。不管器件 是否是电气的，机械的，电子的，集成的，光学的，光电子学的，生物的，聚合的，微流控的传感器或 执行器，有关这些器件的制造工艺或过程的替换决定将对最终的技术和商业成功有重要影响。这些器件 通常在硅衬底、化合物半导体、玻璃、石英、陶瓷或塑性材料上制造，可能涉及在这些材料上淀积一层 或多层薄膜并光刻和腐蚀。这些层和淀积顺序受工艺和用于开发和制造该器件的工艺单元限制，随着层 数的增长变的越来越复杂和相互影响。 湿法腐蚀是使用液态腐蚀剂系统化的有目的性的移除材料，在光刻掩膜涂覆后（一个曝光和显影过 的光刻胶）或者一个硬掩膜（一个光刻过的抗腐蚀材料）后紧接该步腐蚀。这个腐蚀步骤之后，通常采 用去离子水漂洗和随后的掩膜材料的移除工艺。湿法腐蚀可替换工艺包括干法刻蚀，即使用一种或多种 低压力的反应气体，采用 RF感应激励后进行反应，然后再将反应生成的气态物质抽出。非等离子干法刻 蚀，例如双氟化疝或氢氟酸的酸性蒸气腐蚀，拥有各向同性湿法腐蚀的诸多特性，该腐蚀通常在一个有 限的腔室内完成。 近乎所有 IC,MEMS,MOEMS,MST和 NEMS类的器件的产生都很可能与一些湿法腐蚀工艺有关。 整个工艺流 程可被描述为一系列步骤或者序列，这些湿法腐蚀常用于选择性的去除淀积薄膜的一部分，剥去诸如硬 掩膜和光刻胶等特定的材料，为以后的加工清洗和准备衬底，去除牺牲层和部分衬底，以及形成三维结 构。一个湿法腐蚀工序需要考虑如下一些因素，包括有效的腐蚀剂，腐蚀选择性，腐蚀速率，各向同性 腐蚀，材料的兼容性，工艺的兼容性，花费，设备的可用性，操作人员的安全，技术支持和适当的废物 处理。 尽管器件设计者，工艺设计师，或者制造商在工艺允许的情况下可能偏向使用一个完整的干法处理 流程，但是许多标准的处理步骤例如光刻胶的显影和圆片清洗仍然湿法的。与干法刻蚀相比，湿法腐蚀 工序在成本，速度，性能发面更有优势。干法刻蚀的仿真还不可用，如常用的微结构的选择性钻蚀或与 2 晶向相关的腐蚀仿真等。相比湿法腐蚀，人们可能更倾向于选择干法工艺，在一个装备好的工艺线或者 如果湿法腐蚀效果不好的情况下尤其如此。不管怎样，对湿法加工来说，其优点是器件可以在相对低成 本，低劳务管理费用或者低的技术支持下开发和制造。