半导体物理习题.pdf

第一章 1．试定性说明Ge、Si 的禁带宽度具有负温度系数的原因。 解：电子的共有化运动导致孤立原子的能级形成能带，即允带和禁 带。温度升高，则电子的共有化运动加剧，导致允带进一步分裂、 变宽；允带变宽，则导致允带与允带之间的禁带相对变窄。反之， 温度降低，将导致禁带变宽。因此，Ge、Si 的禁带宽度具有负温度 系数。 2 ．试指出空穴的主要特征。 解：空穴是未被电子占据的空量子态，被用来描述半满带中的大量 电子的集体运动状态，是准粒子。主要特征如下：A 、荷正电:； B 、空穴浓度表示为( 电子浓度表示为) ；C、；D 、。 3 ．简述Ge、Si和GaAS的能带结构的主要特征。 解：(1) Ge、Si: a ）Eg (Si：0K) 1.21eV ；Eg (Ge：0K) 1.170eV ； b）间接能隙结构 c ）禁带宽度E 随温度增加而减小； g (2) GaAs ： a ）Eg （300K） 1.428eV ，Eg (0K) 1.522eV ； b）直接能隙结构； c ）Eg负温度系数特性： dE /dT -3.95×10-4eV/K； g 4 ．试述有效质量的意义 解：有效质量概括了半导体的内部势场的作用,使得在解决半导体的 电子自外力作用下的运动规律时,可以不涉及到半导体内部势场的作 用,特别是可以直接由实验测定,因而可以方便解决电子的运动规律。 5．设晶格常数为的一维晶格，导带极小值附近能量和价带极大值附近 能量分别为： ， 为电子惯性质量，。试求： （1） 禁带宽度； （2） 导带底电子有效质量； （3） 价带顶电子有效质量； （4） 价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化。 解： （1）导带：由 得： 又因为 所以：在处，取最小值 价带： 得： 0 又因为 所以：处，取最大值 因此： （2） （3） （4 ）准动量的定义： 所以： 6 ．晶格常数为0.25nm的一维晶格，当外加，的电场时，试分别计算电子 自能带底运动到能带顶所需的世间。 解：根据： 得 第二章 1．什么叫浅能级杂质？它们电离后有何特点？ 解：浅能级杂质是指其杂质电离能远小于本征半导体的禁带宽度的 杂质。它们电离后将成为带正电 （电离施主）或带负电 （电离受 主）的离子，并同时向导带提供电子或向价带提供空穴。 2 ．什么叫施主？什么叫施主电离？施主电离前后有何特征？试举例说明 之，并用能带图表征出n型半导体。 解：半导体中掺入施主杂质后，施主电离后将成为带正电离子，并 同时向导带提供电子，这种杂质就叫施主。施主电离成为带正电离子 （中心）的过程就叫施主电离。施主电离前不带电，电离后带正电。 例如，在Si 中掺P ，P为Ⅴ族元素，本征半导体Si为Ⅳ族元素，P掺入 Si中后，P的最外层电子有四个与Si的最外层四个电子配对成为共价 电子，而P的第五个外层电子将受到热激发挣脱原子实的束缚进入导 带成为自由电子。这个过程就是施主电离。 n型半导体的能带图如图所示：其费米能级位于 禁带上方 3．什么是替位式杂质，它的形成特点是什么？ 解：杂质进入半导体后杂质原子取代晶格原子而位于晶格点处，称 为替位式杂质，特点是杂质原子大小与被取代晶格原子大小相似， 价电子壳结构比较相近 4．位错有哪几种类型，他们的特点是具体什么？ 解：位错分为刃位错和螺形位错。刃位错：位错线垂直于滑移矢量； 螺形错位：位错线平行于滑移矢量。 5 ．掺杂半导体与本征半导体之间有何差异？试举例说明掺杂对半导体