ch4太阳能电池材料和工艺gai.pptx

ch4 太阳能电池的材料和工艺;?;按照材料分：;按照发展状况分：;硅太阳能电池可分为： 单晶硅太阳能电池 多晶硅薄膜太阳能电池 非晶硅薄膜太阳能电池 1.单晶硅太阳能电池 单晶硅太阳能电池，是以高纯的单晶硅棒为原料的太阳能电池，其转换效率最高，技术也最为成熟。高性能单晶硅电池是建立在高质量单晶硅材料和相关的热加工处理工艺基础上。; 生产工艺：;德国费莱堡太阳能系统研究所保持着世界领先水平电池转化效率超过23%，最大值可达23.3％。 Kyocera公司(日本京瓷公司)制备的大面积单电晶太阳能电池转换效率19.44%。 北京太阳能研究所研制的平面高效单晶硅电池（2cm×2cm）转换效率达19.79%，刻槽埋栅电极晶体硅电池（5cm×5cm）转换效率达8.6%。 单晶硅太阳能电池转换效率最高，由于受单晶硅材料价格 及繁琐的电池工艺影响，致使单晶硅电池成本价格较高，要想大幅度降低其成本是非常困难的。为了节省高质量材料，寻找单晶硅电池的替代产品，现在发展了薄膜太阳能电池，其中多晶硅薄膜太阳能电池和非晶硅薄膜太阳能电池就是典型代表。;2.多晶硅太阳能电池 多晶硅薄膜太阳电池是将多晶硅薄膜生长在低成本的衬底材料上，用相对薄的晶体硅层作为太阳电池的激活层, 不仅保持了晶体硅太阳电池的高性能和稳定性, 而且材料的用量大幅度下降, 明显地降低了电池成本。多晶硅薄膜太阳电池的工作原理与其它太阳电池一样, 是基于太阳光与半导体材料的作用而形成光伏效应。 常用制备方法： 低压化学气相沉积法（LPCVD） 等离子增强化学气相沉积（PECVD） 液相外延法（LPPE） 溅射沉积法;反应气体SiH2Cl2、SiHCl3、SiCl4或SiH4 ↓（一定保护气氛下） 硅原子沉积在加热的衬底上 （ 衬底材料为Si、SiO2、Si3N4等 ） 存在问题：非硅衬底上很难形成较大的晶粒，容易在晶粒间形 成空隙 解决方法：先用 LPCVD 在衬底上沉炽一层较薄的非晶硅层,再将这层非晶硅层退火，得到较大的晶粒，然后再在这层籽晶上沉积厚的多晶硅薄膜。 ;德国费莱堡太阳能研究所采??区馆再结晶技术在FZSi衬底上制得的多晶硅电池转换效率为19％。 日本三菱公司用上述方法制备的电池，效率达16.42%。 美国 Astropower 公司采用 LPPE 制备的电池效率达 12.2%。 多晶硅薄膜电池由于所使用的硅较单晶硅少，又无效率衰退问题，并且有可能在廉价衬底材料上制备，其成本远低于单晶硅电池，而效率高于非晶硅薄膜电池，因此，多晶硅薄膜电池不久将会在太阳能电地市场上占据主导地位。;3.非晶硅薄膜太阳能电池 非晶硅薄膜太阳能电池所采用的硅为a-Si。其基本结构不是pn结而是pin结。掺硼形成p区，掺磷形成n区，i为非杂质或轻掺杂的本征层。 ;突出特点： 材料和制造工艺成本低。 制作工艺为低温工艺（100-300℃），耗能较低。 易于形成大规模生产能力，生产可全流程自动化。 品种多，用途广。 存在问题：光学带隙为1.7eV→对长波区域不敏感→转换效率低 光致衰退效应:光电效率随着光照时间的延续而衰减 解决途径：制备叠层太阳能电池，即在制备的p-i-n单结太阳能， 电池上再沉一个或多个p-i-n子电池制得。; 生产方法： 反应溅射法、PECVD法、LPCVD法。 反应气体： H2稀释的SiH4 衬底材料：玻璃、不锈钢等;美国联合太阳能公司（VSSC）制得的单结太阳能电池最高转换效率为9.3%，三带隙三叠层电池最高转换效率为13％(在小面积上0. 5cm×0.5cm)。 日本中央研究院采用一系列新措施，制得的非晶硅电池的转换效率为13.2％。 国内关于非晶硅薄膜电池，尤其叠层太阳能电池的研究并不多，南开大学耿新华等用工业用材料，以铝电极制备出面积为20cm×20cm、转换效率为8.28％的叠层太阳能电池。 由于具有相对较高的转换效率和较低的成本及重量轻等特点，有着极大的潜力。但其稳定性不高，直接影响实际应用。若进一步解决稳定性问题及提高转换率问题，非晶硅大阳能电池将是太阳能电池的主要发展产品之一。; 三种硅基太阳能电池性能分析;太阳能发电宗旨：降低成本和提高效率;多元化合物薄膜太阳能电池;多元化合物薄膜太阳能电池;有机化合物太阳能电池;有机化合物太阳能电池;敏化纳米晶太阳能电池;基本原理： 染料分