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(微机原理与接口技术)chapter10存储器接口;控制线;RAM R/W: 只有一个控制输入,只有当器件被选择输入/CS选中时,该控制线选择一次读操作或写操作 /OE: 控制输入,必须有效,才能执行一次存储器读操作 /WE (写允许): 必须有效,才能执行一次存储器写操作 假设/WE 和/OE控制输入均无效(逻辑1),数据线处于高阻抗状态;ROM存储器;;;2704: 512*8 2708: 1K*8 2716: 2K*8 2732: 4K*8 2764: 8K*8 27128: 16K*8 27256: 32K*8 27512: 64K*8 271024: 128K*8 每个器件均包含地址线、8个数据线、一个或多个片选输入(/CE)以及一个输出允许线(/OE);静态 RAM器件(SRAM);;;动态RAM存储器 (DRAM);;TMS4464 64k*4: 存储256K位数据 8 个地址引脚: 首先,A0-A7被置于地址线上, 由/RAS选通进入一个内部的行锁存器作为行地址 然后,A8-A15被置于同样的8条地址线上,由/CAS选通进入一个内部的列锁存器作为列地址 保持在这些内部锁存器中的16位地址寻址4位存储单元中的内容 ;;;地址译码;译码的地址范围是：1111 1111 1XXX XXXX XXXX 或 从1111 1111 1000 0000 0000= FF800