第四章单片硅微测辐射热计焦平面阵列.pptVIP

§4.4 微辐射计信噪比 1. 噪声等效功率（NEP） 2. 噪声等效温差(NETD) 3. 探测率 D与比探测率 D* 4. 与理想辐射计相比较 1. 噪声等效功率（NEP ) 信号均方根电压Vs等于噪声均方根电压VN时，入射到探测器上的方均根功率叫做NEP。 定义： 表达式： 电压式： 电流式： 2. 噪声等效温差(NETD) 当红外成像系统输出端产生的峰值信号与均方根噪声电压之比为1时，目标与背景之间的温度差。 它是表征红外成像系统受客观信噪比限制的温度分辨率的一种度量。 定义： 物理意义： NETD和NEP的关系： 因此： ?用NEP基本能描述探测器的性能，但是它以探测器能探测到的最小功率来表示的，NEP越小表示探测器的性能越好，这与习惯不一致。 ?由于在辐射能量较大的范围内，红外探测器的响应率并不与辐照能量强度成线性关系，从弱辐照下测得的响应率不能外推出强辐照下应产生的信噪比。 3. 探测率D和归一化探测率D* 为了描述V-I曲线的曲率，定义一个热电参数作为电阻的变化比能量损耗的变化: 假定V-I曲线是用固定小的Q来测量： 即斜率z： 在 V-I曲线上任一点上， 为： 式中： 例： 金属类的?为-1,在温度增加为1/?=5000C时，V-I曲线斜率变为无穷大； 半导体类?为-1 ，在温度增加为1/?=500C时，V-I曲线斜率变为0； 对于g=10-7,分别需要大约500*10-7W 和50*10-7W的焦耳能 对于R=10K，微测辐射热计需要的电流分别是70?A和22?A （3）V-I曲线的计算 热平衡方程(3-13)在热平衡状态时： 0=Q+I2R(T)-g(T-TS) T-TS=(IV+Q)/g 其中R(T)是微测辐射热计电阻的受温度影响的公式。 对于一个类半导体的TCR，微测辐射热计在温度Ｔ下其稳态V-I曲线由下列等式给出： 半导体的电阻温度系数 消去T可得V-I曲线： T-TS=(IV+Q)/g 图4.13 半导体类温度电阻系数的微辐射计的V-I计算曲线 （Q=0,α=-0.027K-1,在300K时R=10KΩ,g=1E-7W/K） 当ω?∝ 时微测辐射热计V-I曲线斜率, 图4.14 脉冲偏置下的微辐射计的负载线；RL,负载电阻，Vb偏置电阻的负载电压，V,I 微辐射计的电压和电流，R，微辐射计的电阻 （4）脉冲偏置信号或者高辐射信号的响应率 在辐射功率Q下，定量变化可以使用热平衡方程以及温度T下的负载线方程来计算： 其中： 联立等式得： 其中对于半导体材料： 以上两个方程可以用来计算在外加偏置和辐射下的辐射计随着时间变化的温度曲线。 举例 表为微测辐射热计的参数值 参数 值 R(Ts) 20KΩ RL 0 Vb 1V Δt 100μs 脉冲周期T 30ms Ts 300K α 在300K时 -1 c 10-9J/K g 10-7W/K Q 1nW 电流响应率 微测辐射热计的温度 偏置电压 有效的热导值 微测辐射热计以每秒500000C的速度变化！！ 第三节 辐射计的噪声 辐射计电阻的噪声 偏置电阻的变化 辐射计衬底的温度变化 入射红外辐射通量的噪声 前置放大器噪声 1.辐射计电阻的噪声 由于电荷载流子的热激发，一个温度为T的阻抗R会产生一个波动的电压噪声（Johnson噪声） 图3.18 一电阻的Johnson噪声等效电路，Vn,电压噪声；R,电阻；C,电容 通频带△f内所具有的热噪声电压为： Johnson噪声 由计算可知：室温条件下，阻值为R=1KΩ的电阻在△f=1Hz带宽内其Johnson噪声电压的均方值约为4nVHz-1/2。 工作带宽△f=5000Hz的系统，放大器增益为104倍，则在放大器的输出端可约有28mV热噪声均方根电压值，由此可见在微弱信号探测中是不可忽略的。 在一个有效噪声带宽1/4CeR范围内，可以认为电压噪声有一个均方根值(4kTR)1/2 VHz-1/2 1/