第三四章场效应晶体管和放大器.pptxVIP

第三章 场效应管及其放大电路;场效应管，简称FET(Field Effect Transistor )。;结型场效应管 （JFET）;3.1 增强型MOSFET(Metal Oxide Semiconductor FET);衬底;（a）正栅压偏置的MOS电容器（P型衬底）;金属电极;;;;;G ;;;Channel Length Modulation Parameter;3.1.5 N沟道EMOS用于放大的原理;;（a）正栅压偏置的MOS电容器（N型衬底）;工作在恒流区（饱和区）的伏安关系;;VTN是增强型NMOS开始形成反型层所需的uGS值，称为开启电压。对E型NMOS管， VTN为正值，对E型PMOS管，VTP为负值。;结构示意图;D型NMOSFET工作原理;恒流区D型MOSFET的伏安方程，VTN为负值;耗尽型p-沟道MOSFET;CMOS（Complementary MOSFET）;使用 MOSFET的注意事项;N沟道EMOS直流分析; [例]电路如图所示，T的输出特性如图(a)(b)所示，分析当 uI＝4V、8V、12V三种情况下场效应管分别工作在什么区域。;当uI＝12V时，由于VDD ＝12V，必然使T工作在可变电阻区;;;;;3.2 结型场效应管（JFET）;栅-源电压对导电沟道宽度的控制作用;漏-源电压对漏极电流的影响;转移特性;;工作在恒流区时g-s、d-s间