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晶闸管构造及工作原理 晶闸管构造及工作原理 晶闸管构造及工作原理 一、晶闸管的基本构造 晶闸管（ SemiconductorControlledRectifier简称 SCR）是一种四层构造（ PNPN）的大功率半导体器件 ,它同时又被称作可控整流器或可控硅元件。它有三个引出 电极，即阳极（ A）、阴极（ K）和门极（ G）。其符号表示法和器件剖面图如图 1 所示。 图 1 符号表示法和器件剖面图 一般晶闸管是在 N 型硅片中双向扩散 P 型杂质（铝或硼），形成 P1 N1 P2 结 构，而后在 P2 的大多数地区扩散 N 型杂质（磷或锑）形成阴极，同时在 P2 上引 出门极，在 P1 地区形成欧姆接触作为阳极。 图 2、晶闸管载流子散布 二、晶闸管的伏安特征 晶闸管导通与关断两个状态是由阳极电压、阳极电流和门极电流共同决定 的。往常用伏安特征曲线来描绘它们之间的关系，如图 3 所示。 图 3 晶闸管的伏安特征曲线 当晶闸管 VAK 加正向电压时， J1 和 J3 正偏， J 2 反偏，外加电压几乎所有下降在 J 2 结上， J 2 结起到阻断电流的作用。跟着 VAK 的增大，只需 VAK VBO ，经过阳极电流 I A 都很小，因此称此地区为正向阻断状态。 当 VAK 增大超出 VBO 此后，阳极电流忽然增大， 特征曲线过负阻过程瞬时变到低电压、 大电流状态。 晶闸管流过由负载