宁波大学（博士）专业课真题3810数字集成电路设计基础B 2015年.pdfVIP

宁波大学2015年攻读博士学位研究生 (B ) ) 入 学 考 试 试 题 卷 (答案必须写在答题纸上 考试科目: 数字集成电路设计基础 科目代 ： 3810 适用专业: 微纳信息系统 一、NMOS 管版图如下图所示，采用0.25um CMOS 工艺，沟道长度为2λ ，沟道 度取3λ ，请在图中标出版图尺寸，并说出名称。(8 分) 二、采用0.25um CMOS 工艺，设N 型扩散层（n-diffusion ）的方块电阻R =2.5Ω/□， ndiff 2 N 型扩散层底部电容 （bottomwall capacitance ）Cndiff, bot 为0.8fF/um , N 型扩散层侧壁 sidewall capacitance C 0.4fF/um 电容（ ） ndiff, side 为 。计算下图漏极的寄生电阻与寄生电 10 容。（ 分） 源极 多晶硅 漏极 16λ 8λ 多晶硅 源极 第 1 页 共 3 页 宁波大学2015年攻读博士学位研究生 (B ) ) 入 学 考 试 试 题 卷 (答案必须写在答题纸上 考试科目: 数字集成电路设计基础 科目代 ： 3810 适用专业: 微纳信息系统 三、若逻辑函数F(a,b,c,d,e,f)=a+b+c+d+e+f，用Dx( ) 表示信号x 在单位时间内翻转 的次数，且有Da( ) Db( ) Dc( ) Dd( ) De( ) D( f) 。用px( ) 表示在足够长时间内， 信号 的高电平所占的比例，且存在x pa( ) pb( ) pc( ) pd( ) pe( ) p(f ) ；使用二 输入 “或非门”和三输入 “与非门”实现上述逻辑函数，并使得电路的动态功耗和 延时得到优化，说明理由。 （12 分） NOR XNOR MUX 四、用静态互补逻辑实现二输入的 、 及二选一 ，画出晶体管级电路