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- 2021-08-30 发布于湖南
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* * * * * * * * * * * * * 间接材料---吸嘴选用rule 装片因素----料 间接材料---点胶头 装片因素----料 间接材料—点胶头选用rule 装片因素----料 装片因素----法 系统管理方法 装片因素----法 规范管制 输入 输出 机台正常运行/参数输 入正确 正确的无不良的物料 规范的作业方法 规范的作业环境 测量数据准确无偏差 设备操作 作业方法 作业环境 测量方法 原物料准备 人员 按照标准作业 装片因素----环境 项目 防护措施 规格 作业规范 环境 无尘防护 1000级 01-00-008_电路事业中心无尘室管理规范_K 空调温度设定 25oc ESD防护 1.0E5-1.0E9Ω 01-00-144_集成电路事业中心ESD特殊防护作业规范_A 装片因素----测 人 数据 设备 测量过程 材料 方法 程序 输入 输出 测量系统的能力---3个重要指数 测量系统 装片工艺趋势及挑战 IC封装roadmap 装片工艺趋势及挑战 IC的封装形式 1. 按封装外型可分为: SOT 、QFN 、SOIC、TSSOP、QFP、BGA、CSP/WLSP等; 2. 封装形式和工艺的发展趋势: 封装效率:芯片面积/封装面积,尽量接近1:1; 封装厚度:封装体厚度越来越薄小,且功能越来越强,需集成多颗芯片; 引脚数:引脚数越多,越高级,但是工艺难度也相应增加; 封装形式和工艺逐步高级和复杂 关键因素 因素影响 图片 装片挑战 封装效率 芯片边缘接近pad及finger边缘 树脂溢出 封装厚度 多颗芯片排布压缩芯片边缘到pad边缘的距离 银胶桥接 芯片裂片 芯片尺寸小,表面线路密集凸起 吸嘴压伤芯片 芯片厚度薄 NA 吸片裂片 引脚数 芯片表面pad排布密集 吸嘴压伤pad 产品功率 使用高导银胶装片 NA 银胶作业性差 装片特殊工艺 锡膏/共晶/铅锡丝 装片特殊工艺 FC * Innovations for Value 演讲结束,谢谢大家支持 * 2021/7/26 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * On the evening of July 24, 2021 Courseware template On the evening of July 24, 2021 Courseware template It is applicable to work report, lecture and teaching 装片工序简介 * 2021/7/26 装片工序简介 Prepared By: Date: 2016.04.19 目录 一:半导体产业链及封测流程介绍 介绍封测及装片在半导体产业链的位置 二: 装片介绍 装片人员介绍 装片机台介绍 装片物料介绍 装片方法介绍 装片环境介绍 测量系统介绍 三: 装片工艺趋势及挑战 介绍IC封装的roadmap 介绍装片困难点及发展趋势 四:特殊封装工艺 锡膏/共晶/铅锡丝及FC工艺 半导体产业链介绍 Assytest流程介绍 装片介绍 装片解释: 又称DA(Die Attach)或DB(Die Bond),目的为将磨划切割好的芯片固定在框架上以便后续工序作业,是封装的一个重要流程,影响整个芯片封装。 装片作用: a. 使芯片和封装体之间产生牢靠的物理性连接 b. 在芯片或封装体之间产生传导性或绝缘性的连接 c. 提供热量的传导及对内部应力的缓冲吸收 3. 装片因素图示: 装片因素----人 输入 输出 设备操作 机台正常运行/参数输 入正确 作业方法 作业环境 测量方法 原物料准备 正确的无不良的物料 针对不可控因素—人,通过规范标准等方法管控 人 管控方法 ME
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