PCB电镀铜原理简介电镀工艺.pptVIP

* Cl-(ads) Cl-(ads) Cu+ Cu+ Cu+ O O O R1 R2 R3— —R4 S(ads) RSO3- Cathode Surface Cl-(ads) Cl-(ads) Cu+ Cu+ Cu+ O O O R1 R2 R3— —R4 S(ads) RSO3- Brightener 光泽剂或细晶剂 通常为R-S-R-S03 化合物 Step 3b： (与3a同时进行) 1.光泽剂扮演晶种之角色，降低铜离子还原之活化能，使得镀铜速率加速进行。 2.利于新晶核之形成及细晶核之稳定，使得镀层较为细致，以提高其物性，同时可 得到一光泽之表面，但是光泽剂太多将使T/P变差。 Cathode Surface * 电镀液添加剂只添加Carrier后，孔内及表面较为平整，但其物性(漂锡后)较差。 电镀液添加剂只添加Brightener后，孔内及表面平整性较差，但其物性(漂锡后)较佳。 * 镀铜表面结构比较 图左为细晶粒之铜沉积，图右则为晶粒较大之铜沉积 铜之沉积有方向性 ( columnar or laminar ) 沉积之晶粒较大 铜之沉积较无方向性 (fine-grained or equiaxed )沉积之晶粒较细致 * Cu0 纽结位置 邻位置 (表面能量最高) (one face touch) (表面能量次高) ( two face touch) 边缘位置 (表面能量最低) ( three face touch) In Double layer 铜离子接受电子后,开始形成 铜原子沉积于阴极底材铜面上 镀层结晶成长(表面扩散运动) I.新晶核之形成 II.原结晶之成长 阴极底材铜面 相互竞争 形成镀层 有利(II)之条件: (1)低过电压 (2)高扩散速率 (3)邻位置原子少 *所得之晶粒较大 物性相对较差 有利(I)之条件: (1)高过电压 (2)添加剂效应 *所得之晶粒较为细致 物性相对较佳 *添加剂可使小晶粒趋 于较稳定状态 In Diffusion layer Cu2+ +2e- 电镀沈积示意图 * 电镀相关计算公式 A.电流密度(ASF)：ASF＝[电流(A) /被镀面积(F,ft2)] ×2面 B.被镀面积(F, ft2) : F = [长(cm) x 宽(cm) x 2 x 残铜率] / 929 C.厚度单位：1μm＝40μ”, 1mm＝40mil, 1mil＝1000μ” 镀铜厚度取决于电流密度及电镀时间。 每电镀17.8 安培小时或 1068 安培分钟可获得 1 mil (25 micron) 的电镀厚度。可以下列的计算式来说明： D.厚度计算(mils) = ASF ×时间(min) ×C.E. / (1068Amp.min/mil) = ASF ×时间(min) ×0.00094 x C.E. C.E.=Current Efficiency (由法拉第定律 W=I*t*A/n*F算出,需考虑电流效率) ? Notes:孔中的实际电镀厚度取决于孔内的粗糙度及槽液的贯孔能力。电流密度、槽体设计、槽液流动及各项参数都会影响电镀槽液的贯孔能力。 * 电镀设备检整项目 以勾表量测整流器输入与输出,此与镀铜效率有密切关连(+10%误差范围内) 钛蓝数目计算: (钛蓝必须等距排放,以提升distribution) 一铜线钛蓝数目(支) = [槽宽(cm)- 60(cm)] / 17 二铜线钛蓝数目(支) ~ 一铜钛蓝数目 x 0.8 (一铜线一般为单支整流器供电,二铜线则为双支整流器供电) 阴极V-shape导电座必须定期清洗保养 * 镀铜质量在线监控项目可监控 series光泽性添加剂之分析仪器列表 槽液各成分浓度监控 EDTA滴定法: Cu2+ (g/L) NaOH 滴定法: H2SO4 (%) UV/VIS分析,电位滴定,传统滴定: Cl-(ppm) CVS(周期性循环电极法): 光泽剂(B/C) Hull cell : 现场监控槽液整体表现特性 Harring cell:镀铜品质监测(throwing power) Tensiometer(表面张力计):槽液湿润性(接触角)测试 槽液污染分析 ICP(感应偶合电浆光谱仪): 阳离子金属污染物分析 水质分析仪: 检侧槽液中之Cl-污染量 HPLC UV-VIS :有机污染物分析(Dump 标准) SEM/EDS : 镀铜结晶观察,表面污染物分析 CVS(周期性循环电极法):有机污染物指数 镀铜品质监测 拉力机:测定镀铜elongation ,tensile strength MRX面铜仪(CMI铜厚仪):测定