晶向、晶面及晶带精品课件.pptxVIP

参考教材： The Science and Engineering of Materials;目录;2.2 晶向、晶面及晶带;一、晶向及晶向指数;晶列的特点： (1)平行晶列组成晶列族，晶列族包含所有的格点； (2)晶列上格点分布是周期性的； (3)晶列族中的每一晶列上，格点分布都是相同的； (4)在同一平面内，相邻晶列间的距离相等。 ;2.晶向指数[u v w]确定步骤： 建立一个右手空间直角坐标系，在待测晶向上确定两个点的坐标。 用终点的坐标减去起点的坐标，得到沿各坐标轴方向上的数值。 将其按比例化为最小的整数。 将此整数放在一个方括号[u v w]中。若有负号，将负号标在该数字的上方。 如[121]表示 ;例题：确定图1-18中A，B和C方向的晶向指数;晶向 A 1.两点坐标分别为（1, 0, 0） and（0, 0, 0） 2. （1, 0, 0） - （0, 0, 0） =（ 1, 0, 0） 3. 已为最小的整数，记作 [100] 晶向B 1.两点坐标分别为（1, 1, 1） and （0, 0, 0） 2. （1, 1, 1） -（0, 0, 0） = （1, 1, 1） 3.已为最小的整数，记作 [111] 晶向C 1.两点坐标分别为（0, 0, 1） and （1/2, 1, 0） 2. （0, 0, 1） -（1/2, 1, 0） = （-1/2, -1, 1） 3. 2(-1/2, -1, 1) = -1, -2, 2，记作;练习1：确定图中AB，BC和AD的晶向指数 ;;[123]; ;2021/8/23;3. 阵点间距、线密度和堆垛密度 阵点间距（repeat distance）：沿晶向方向阵点之间的距离。 线密度(liner density):沿一个方向单位长度上相同阵点的数目。 线堆垛密度（线致密度）:某个晶向上的原子所占的长度的比例。;例：已知Cu是FCC晶胞结构，晶格常数a = 0.36451 nm，计算晶胞中[110]晶向的阵点距离、线密度和线致密度？ 对于FCC晶胞中[110]晶向，起点设在0,0,0位置，下一个阵点在面心，即1/2,1/2,0的位置。因此，阵点间的距离是面对角线的一半，等于 。铜的晶格常数为0.36151nm，可以算出阵点间距为0.2556nm。 铜的面心立方晶胞[110]晶向有2个重复距离，为 线密度＝ ＝3.91阵点/nm 因此，线密度也可以看成是阵点间距的倒数。 线致密度＝线密度×2r 。 线致密度＝线密度×2r ＝3.91×2×0.12781＝1 说明原子沿[110]晶向相互接触(面心立方晶胞的最密排方向)。 ;二、晶面及晶面指数;2.晶面指数（hkl）确定步骤： 以晶胞的某一阵点为原点，以过原点的晶轴为坐标???，以点阵常数a，b，c为三个坐标轴的长度单位，建立一个空间直角坐标系。但原点应位于待定晶面之外，以避免出现零截距。 找出待定晶面在三轴的截距，如果该晶面与某轴平行，则截距为无穷大。 求出晶面在三个坐标轴上的截距x，y，z，对所求截距取倒数得1/x，1/y，1/z； 将它们按比例化成三个最小的整数h，k，l； 再将它们放在一个圆括号中即得该晶面的晶面指数（hkl）。如果有存在负号，将负号标在该数字的上方。 ;确定图中A，B和C晶面的晶面指数;Plane A 1. x = 1, y = 1, z = 1 2.1/x = 1, 1/y = 1,1 /z = 1 3.已为最小的整数，记为 (111) Plane B 1.晶面和z轴平行，所以x = 1, y = 2, and z = ∞ 2.1/x = 1, 1/y =1/2, 1/z = 0 3. 化为最小的整数：1/x = 2, 1/y = 1, 1/z = 0，记作 (210) Plane C 1.因为晶面经过了原点，所以要把原点沿y轴方向移动一个晶格常数的距离，所以， x = ∞ , y = -1, and z = ∞ 2.1/x = 0, 1/y = 1, 1/z = 0 3.已为最小的整数，记作;练习;;一个晶面和其负晶面是相同的（这和晶向不同） 晶面指数和该指数的倍数是平行的，但不是等同的（这也和前面讲的晶向不同）。 晶面指数代表的不仅是某一晶面，而是代表一组互相平行的晶面； 在晶体内部凡晶面间距和晶面上原子的分布完全相同，只是空间位相不同的晶面归为同一晶面族，用 {h k l}表示，它代表由对称性相联系的若干组等效晶面的总和； 在一个晶胞中同属于某一晶面族的等效晶面数目，称为多重性因子； 立方晶系中，具有相同指数的晶向和与晶面必定是互相垂直的，即晶向的方向为该相同指数晶面的法线方向。 [111] ⊥ (111) ;对于高对称性