模拟电子技术基础第一章常用半导体器件.pptxVIP

模拟电子技术基础;第 1 章 半导体器件;;1.1.1 本征半导体;硅(锗)的原子结构;本征激发：;两种载流子;1.1.2 杂质半导体;;二、杂质半导体的导电作用;三、P 型、N 型半导体的简化图示;;3. 扩散和漂移达到动态平衡;;三、PN 结的伏安特性;1.2　半导体二极管;1.2.1 半导体二极管的结构和类型;点接触型;1.2.2 二极管的伏安特性;二、二极管的伏安特性;反向击穿类型：;硅管的伏安特性;温度对二极管特性的影响;1.2.3 二极管的主要参数;影响工作频率的原因 —;1.3　二极管电路的 分析方法;1.3.1 理想二极管及二极管特性的折线近似;二、二极管的恒压降模型;三、二极管的折线近似模型;UD(on);[解];例1.3.2 试求电路中电流 I1、I2、IO 和输出电压 UO 的值。;UO = VDD1 ? UD(on)= 15 ? 0.7 = 14.3 (V);例 1.3.3 二极管构成“门”电路，设 V1、V2 均为理想二极管，当输入电压 UA、UB 为低电压 0 V 和高电压 5 V 的不同组合时，求输出电压 UO 的值。;输入电压;例 1.3.4 画出硅二极管构成的桥式整流电路在 ui = 15sin?t (V) 作用下输出 uO 的波形。;O;例 1.3.5 ui = 2 sin ?t (V)，分析二极管的限幅作用。;思考题:;1.3.2 图解法和微变等效电路法;也可取 UQ = 0.7 V;iD / mA;iD / mA;;2. 动态分析;1.4　特殊二极管;1.4.1 稳压二极管;二、主要参数;5. 稳定电压温度系数 CT;例 1.4.1 分析简单稳压电路的工作原理， R 为限流电阻。;1.4.2 发光二极管与光敏二极管;2. 主要参数;二、光敏二极管;补充：选择二极管限流电阻;1.5　双极型半导体 三极管;(Semiconductor Transistor);分类：;二、电流放大原理;实现电路:;3. 三极管内部载流子的传输过程;I CN;4. 三极管的电流分配关系;;1.5.2 晶体三极管的特性曲线;O;二、输出特性;;;三、温度对特性曲线的影响;2. 温度升高，输出特性曲线向上移。;1.5.3 晶体三极管的主要参数;;三、极限参数;U(BR)CBO — 发射极开路时 C、B 极间反向击穿电压。;1.6　场效应管;引 言;特点：;1.6.1 结型场效应管;2. 工作原理;(1) UGS 对导电沟道的影响UDS=0,UGS0 随UGS负向增长，PN结变厚，导电沟道变窄，当负向增长到某值时，两个PN结合拢，导电沟道被完全夹断，此时的UGS称为完全夹断电压，记为UGS （off）。 即使此时加上UDS，由于沟道已经被完全夹断，故漏极电流ID极小，接近于0。 此时管子处于截至状态。 ;(2) UDS 对导电沟道的影响 UGS (Off) UGS? 0 ?沟道未被完全夹断 此时施加UDS 0 由于沿沟道从D到S存在电位差，如： VxVy ，则： VxVy = Vx-VG Vy-VG0 (G点电位为负) 即VG- Vx＜VG- Vy 0 = UGXUGY0 结论：x处的PN结比y处的PN结厚;(2) UDS 对导电沟道的影响 此时 UGS-UDS =UGD = UGS(off)； 当UDS ?, UGS-UDS =UGD ＜ UGS(off)0夹断区域扩大，预夹断点下移。;(3) UDS 也不足以夹断导电沟道的情况 UGS(Off) UGS ? 0 ?沟道未被完全夹断 此时施加UDS 0 由于沿沟道从D到S存在电位差，沟道呈楔型，近D端窄，近S端宽 随UDS增大，沟道变窄，在UDS增大到使导电沟道预夹断之前， 此时 UGS(off) UGD = UGS-UDS 0； 导电沟道始终是存在的。 UDS增大 ，将使ID随之增大 ，管子工作在可变电阻状态;3. 转移特性和输出特性;一、增强型 N 沟道 MOSFET (Mental Oxide Semi— FET);2. 工作原理;1)uGS 对导电沟道的影响 (uDS = 0);2) uDS 对 iD的影响(uGS UGS(th)0－－导电沟道已经形成， UDS0－－ UDS增大;管子处于放大状态的条件： 0 UGS (th)(开启电压) UGS ----已经由UGS形成导电沟道 0 UGS －UDS ＝UGD UGS(th) ----再由UDS的增大使UGS －UDS ＝UGD减小到 小于UGS(th) ，以至于导电沟道在近漏极D端重新被（预）夹断;3. 转移特性曲线;4. 输出特性曲线;二、耗尽型 N