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第 5 章 S3C44B0X接口电路设计与编程;本章主要介绍:;5.1 MICETEK EV44B0II开发板简介;;5.1.1 存储地址空间分配 ;;5.1.1 存储地址空间分配;;配置程序如下:;.word 0x00007FFC @ GCS4, not use
.word 0x00007FFC @ GCS5, not use
.word 0 @ GCS6 SDRAM(Trcd=2,SCAN=8)
.word 0 @ GCS7 SDRAM(Trcd=2,SCAN=8)
.word 0 @ Refresh(REFEN=1,TREFMD=0,
@ Trp=3.5(D)or4(SD),
Trc=5(S), Tchr=3(D), Ref CNT)
.word 0x16 @ Bank size, 32MB/32MB
.word 0x20 @ MRSR 6(CL=2)
.word 0x20 @ MRSR 7(CL=2);参数说明如表5-1所示 ;寄存器;寄存器;5.1.2 I/O口配置;Port A(rPCONA=0x1FF) ;Port C(rPCONC=0x5F5FFFFF);Port E(rPCONE=0x2552B);I/O端口初始化程序如下:; rPUPE=0x0;
rPDATE=0X60;
rPCONF=0x2A;
rPUPF=0x0;
rPDATG=0x0;
rPCONG=0x55FF;
rPUPG=0x0;
rSPUCR=0x7; //上拉禁止。
rEXTINT=0 // EINT7~EINT0下降沿触发。
};5.1.3 电源、时钟及复位电路;;3.复位
nRESET至少保持5个时钟的低电平,当nRESET为高电平时,处理器进行初始化操作。;5.1.4 MBL(Micetek Boot Loader)介绍;; 在上电复位时,Flash的基址是0x0。所以MBL就会立刻被启动运行。
在启动后,MBL把自己的代码拷贝到板子上SDRAM中,其他空间(约7M Bytes)可以用来下载Linux Image文件或其他应用程序,这些程序下载到SDRAM中的默认地址是0x0c008000。如图5-6所示。;;5. 2 存储器电路设计及编程;5.2.1 BOOT FLASH电路及编程;; HY29LV160是HYUNDAI公司生产的Flash存储器,其主要特点有:
⑴ 3 V单电源供电,可使内部产生高电压进行编程和擦除操作;
⑵ 支持JEDEC单电源Flash存储器标准和CFMI(Common Flash Memory Interface)特性;
⑶ 只需向其命令寄存器写入标准的微处理器指令,具体编程、擦除操作由内部嵌入的算法实现,并且可以通过查询特定的引脚或数据线监控操作是否完成;
⑷ 可以对任一扇区进行读、写或擦除操作,而不影响其它部分的数据。; HY29LV160操作编程命令包括读、擦除、编程和复位等命令,如表5-3 所示。;命令
序列;命令
序列;命令
序列;2. 29LV160TE芯片擦除;void F29LV160_EraseSector(int targetAddr)
{
Uart_Printf(Sector Erase is started!\n);
_RESET( ); //芯片复位
_WR(0x555,0xaa);
_WR(0x2aa,0x55);
_WR(0x555,0x80);
_WR(0x555,0xaa);
_WR(0x2aa,0x55);
_WR(BADDR2WADDR(targetAddr),0x30);
_WAIT( ); //等待擦除结束
_RESET( ); //芯片复位
}; 其中 _W
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