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根本光刻工艺全息解析 ss 第九章 根本光刻工艺------ 从曝光到最终检验 －7－ 和冲洗液都是新的，所 以较沉浸系统清洁，由 于采用喷射系统也可大 大节约化学品的使用。 所以此工艺很受欢送， 特别是对负性光刻胶工 艺 。 对正性光刻胶工艺 来说 因为温度的敏感 性，当液体在压力下从喷嘴喷出后很快冷却，要保证温度必须加热晶园吸盘。从而增加了设备的复查性和工艺难度。 第九章 根本光刻工艺------ 从曝光到最终检验 －2－ 混凝显影 虽然喷射显影有很多有点，但对正性光刻胶显影还存在一些问题，混凝显影就是针对所存在地问题而改进的一种针对正性胶的光刻工艺，差异在于显影化学品的不同。 如下图，首先在静止的晶园外表上覆盖一层显影液，停留一段时间〔吸盘加热过程〕，在此过程中，大局部显影会发生，然后旋转并有更多的显影液喷到晶园外表并冲洗、枯燥。 第九章 根本光刻工艺------ 从曝光到最终检验 －9－ 干法显影 液体工艺的自动化程度不高，并且化学品的采购、存储、控制和处理费用昂贵，取代液体化学显影的途径是使用等离子体刻蚀工艺，该工艺现已非常成熟。在此工艺中，离子从等离子体场得到能量，