镀通孔的制造流程.docxVIP

最新 精品 Word 欢迎下载 可修改 镀通孔 7.1製程目的 　　雙面板以上完成鑽孔後即進行鍍通孔(Plated Through Hole , PTH)步驟，其目的使孔壁上之非導體部份之樹脂及玻纖束進行金屬化( metalization ), 以進行後來之電鍍銅製程,完成足夠導電及焊接之金屬孔壁。　　1986年，美國有一家化學公司Hunt 宣佈PTH不再需要傳統的貴金屬及無電銅的金屬化製程,可用碳粉的塗佈成為通電的媒介，商名為Black hole。之後陸續有其他不同base產品上市, 國內使用者非常多. 除傳統PTH外, 直接電鍍(direct plating)本章節也會述及. 7.2製造流程 　　去毛頭→除膠渣→PTHa一次銅 7.2.1. 去巴里 (deburr) 　　鑽完孔後,若是鑽孔條件不適當,孔邊緣有1.未切斷銅絲2.未切斷玻纖的殘留,稱為burr.因其要斷不斷,而且粗糙,若不將之去除,可能造成通孔不良及孔小,因此鑽孔後會有de-burr製程.也有de-burr是放在Desmear之後才作業.一般de-burr是用機器刷磨,且會加入超音波及高壓沖洗的應用.可參考表4.1. 7.2.2. 除膠渣 (Desmear) 　　A.目的: 　　　 a. Desmear 　　　 b. Create Micro-rough增加adhesion 　　B. Smear產生的原因: 　　　 由於鑽孔時造成的高溫Resin超過Tg值，而形成融熔狀，終致產生膠渣。 　　　 此膠渣生於內層銅邊緣及孔壁區，會造成P.I.(Poor lnterconnection) 　　C. Desmear的四種方法: 　　　 硫酸法(Sulferic Acid) 、電漿法(Plasma)、鉻酸法(Cromic Acid)、 高錳酸鉀法(Permanganate). 　　　 a. 硫酸法必須保持高濃度，但硫酸本身為脫水劑很難保持高濃度，且咬蝕出的孔面光滑無微孔，並不適用。 　　　 b. 電漿法效率慢且多為批次生產，而處理後大多仍必須配合其他濕製程處理，因此除非生產特殊板大多不予採用。 　　　 c. 鉻酸法咬蝕速度快，但微孔的產生並不理想，且廢水不易處理又有致癌的潛在風險，故漸被淘汰。 　　　 d. 高錳酸鉀法因配合溶劑製程，可以產生微孔。同時由於還原電極的推出，使槽液安定性獲得較佳控制，因此目前較被普遍使用。 7.2.2.1 高錳酸鉀法(KMnO4 Process): 　　A.膨鬆劑(Sweller): 　　　 a. 功能:軟化膨鬆Epoxy，降低 Polymer 間的鍵結能，使KMnO4 更易咬蝕形成 Micro-rough 速 率 作 用 Concentration 　　　 b. 影響因素: 見圖7.1 　　　 c. 安全:不可和KMnO4 直接混合，以免產生強烈氧化還原，發生火災。 　　　 d. 原理解釋: 　　　　 (1) 見圖7.2 　　　　　　初期溶出可降低較弱的鍵結，使其鍵結間有了明顯的差異。若浸泡過長，強 的鏈結也漸次降低，終致整塊成為低鏈結能的表面。如果達到如此狀態，將無法形成不同強度結面。若浸泡過短，則無法形成低鍵結及鍵結差異，如此 將使KMnO4咬蝕難以形成蜂窩面，終致影響到PTH的效果。 　　　　 (2) Surface Tension的問題: 　　　　　　 無論大小孔皆有可能有氣泡殘留，而表面力對孔內Wetting也影響頗大。故 採用較高溫操作有助於降低Surface Tension及去除氣泡。至於濃度的問題， 為使Drag out降低減少消耗而使用略低濃度，事實上較高濃度也可操作且速 度較快。 　　　　　　 在製程中必須先Wetting孔內壁，以後才能使藥液進入作用，否則有空氣殘 留後續製程更不易進入孔內，其Smear將不可能去除。 　　 B. 除膠劑 (KMnO4 ): 　　　 a. 使用KMnO4的原因:選KMnO4而未選NaMnO4是因為KMnO4溶解度較佳,單 價也較低。 　　　 b. 反應原理: 　　　　　　 4MnO4- + C + 4OH- → MnO4= + CO2 + 2H2O (此為主反應式) 　　　　　　 2MnO4- + 2OH- → 2MnO4= + 1/2 O2 + H2O (此為高PH值時自發性分解反應) 　　　　　　 MnO4- + H2O → MnO2 + 2OH- + 1/2 O2 (此為自然反應會造成Mn+4沉澱) 　　　 c. 作業方式:早期採氧化添加劑的方式，目前多用電極還原的方式操作，不穩 定的問題已獲解決。 　　　 d. 過程中其化學成份狀況皆以分析得知，但Mn+7為紫色, Mn+6為綠色,Mn+4 為