场效应晶体管及其放大电路3.pptxVIP

1;3.2.1 增强型MOS管 ;;SiO2保护层;1. 工作原理 ;(1) uGS =0 , uDS≠0;;;;;;a. uDS升高;b. 当uGD =uGS–uDS=UGS(th）时;c. 当uDS进一步增大;增强型NMOS管工作原理动画演示;2．伏安特性与参数 ;(1) 可变电阻区;(2) 放大区(饱和区、恒流区);截止区;管子工作于放大区时函数表达式;[例] 图示为某一增强型NMOS管的转移特性。试求其相应的常数K值。 ;3.2.2 耗尽型MOS管 ;绝缘层中渗入了正离子;导电沟道增宽;2．伏安特性与参数 ;b．转移特性曲线;增强型与耗尽型管子的区别;MOSFET符号;JFET符号;场效应管的特点（与双极型晶体管比较）;双极型晶体管的发射结始终处于正向偏置，有一定 的输入电流，基极与发射极间的输入电阻较小。;(5) 场效应管的结构对称，有时（除了源极和衬底在 制造时已连在一起的MOS管）漏极和源极可以 互换使用，且各项指标基本不受影响，使用方便、 灵活。;场效应管的跨导小，当组成放大电路时，在相 同的负载电阻下，电压放大倍数比双极性晶体管 低。;2. 绝缘栅场效应管的栅极为什么不能开路？;3.2.1 增强型MOS管 ;;;b. 当uGD =uGS–uDS=UGS(th）时;3.2.2 耗尽型MOS管